Junction-Intrinsic Dissipation in Hybrid Superconductor-Semiconductor Gatemon Qubits
समान सर्किट लेआउट वाले हाइब्रिड गेटमोन और मानक SIS ट्रांसमोन क्वबिट्स को सह-निर्मित करके, शोधकर्ताओं ने प्रदर्शित किया है कि गेटमोन रिलैक्सेशन समय (relaxation times) सैद्धांतिक भविष्यवाणियों की तुलना में एक क्रम अधिक सीमित है, जो बाहरी सर्किट नुकसान या क्वैसीपार्टिकल प्रभावों के बजाय एक अज्ञात, तापमान-स्वतंत्र, जंक्शन-अंतर्निहित अपव्यय तंत्र (dissipation mechanism) के कारण है।