Giant PhotoMagnetoDiode Effect
यह शोध पत्र कम तापमान पर उच्च-गुणवत्ता वाले VPE-निर्मित GaAs नमूनों में एक विशाल फोटोमैग्नेटोडायोड प्रभाव के अवलोकन की रिपोर्ट करता है, जो 0.1 T चुंबकीय क्षेत्र के तहत 10 के डायोड-जैसे फोटोकरेंट रेक्टिफिकेशन अनुपात द्वारा अभिलक्षित है, जिसे एम्बीपोलर ड्रिफ्ट और तीव्र सतह पुनर्संयोजन के सिद्धांत द्वारा समझाया गया है।