cond-mat.mes-hall
3330 पेपर
Ideal Topological Flat Bands in Two-dimensional Moiré Heterostructures with Type-II Band Alignment
यह शोध पत्र टाइप-II बैंड संरेखण वाले द्वि-आयामी मोइरे हेटरोस्ट्रक्चर में आदर्श टोपोलॉजिकल फ्लैट बैंड्स को पूर्ण क्वांटम ज्यामिति के साथ साकार करने के लिए एक ट्विस्ट-एंगल-असंवेदनशील डिजाइन सिद्धांत प्रस्तावित करता है, जहाँ बैंड की सपाटता और ज्यामिति को स्थानीयकृत और चालक कक्षकों (orbitals) के बीच ऊर्जा अंतराल को नियंत्रित करने वाले बाहरी गेट वोल्टेज के माध्यम से प्रयोगात्मक रूप से ट्यून किया जा सकता है।
Visualizing Electronic Structure of Twisted Bilayer MoTe2 in Devices
यह अध्ययन ट्विस्टेड बाइलेयर MoTe2 के इलेक्ट्रॉनिक बैंड स्ट्रक्चर को सीधे मैप करने के लिए स्थानिक और कोण-विभेदित फोटोइमिशन स्पेक्ट्रोस्कोपी का उपयोग करता है, जो एक प्रत्यक्ष बैंड गैप को प्रकट करता है जिसका वैलेंस बैंड मैक्सिमम K बिंदुओं पर स्थित है जो फ्रैक्शनल क्वांटम अनोमलस हॉल प्रभाव का आधार बनता है।
Emulating 2D Materials with Magnons
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि छिद्रों के षट्कोणीय सरणी (hexagonal array) वाला एक लंबवत चुम्बकित पतली फिल्म (perpendicularly magnetized thin film), 9-बैंड टाइट-बाइंडिंग मॉडल का उपयोग करके ग्राफीन और कगामे जाली (kagome lattices) जैसे 2D पदार्थों की बैंड संरचना का अनुकरण कर सकती है, जिससे प्रयोगात्मक रूप से सुलभ आवृत्तियों पर टोपोलॉजिकल मैग्नॉन, बैंड गैप और वैली-हॉल प्रभावों को इंजीनियर करना सक्षम हो जाता है।
Growth of Large Crystals of Janus Phase RhSeCl Using Self-Selecting Vapour Growth
यह शोध पत्र एक नवीन दो-चरणीय स्व-चयनित वाष्प वृद्धि विधि (two-step self-selecting vapour growth method) की रिपोर्ट करता है जो स्पिंट्रोनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए पुनरुत्पादक उत्पादन को सक्षम करने हेतु एक पूर्व में अज्ञात अशुद्धि की पहचान और शमन करते हुए, 6 मिमी आकार तक के बड़े, उच्च-गुणवत्ता वाले, चरण-शुद्ध RhSeCl जेनस (Janus) क्रिस्टल का सफलतापूर्वक संश्लेषण करती है।
Surface Phonon Hall Viscosity Induced Phonon Chirality and Nonreciprocity in Magnetic Topological Insulator Films
यह शोध पत्र प्रस्तावित करता है कि चुंबकीय टोपोलॉजिकल इंसुलेटर्स में नीह-यान एक्शन (Nieh-Yan action) से उत्पन्न होने वाली सतह फोनोन हॉल विस्कोसिटी (surface phonon Hall viscosity), सतह के चुंबकत्व को फोनोन गतिकी के साथ जोड़कर चिरल (chiral) या गैर-पारस्परिक (nonreciprocal) ध्वनिक फोनोन को प्रेरित करती है, जो थर्मल हॉल प्रभाव और मैग्नोन-पोलरॉन के माध्यम से संभावित प्रयोगात्मक संकेतों की पेशकश करती है।
Quantum-geometry-enabled Landau-Zener tunneling in singular flat bands
यह शोधपत्र यह प्रदर्शित करता है कि जबकि एकल सपाट बैंड (singular flat bands) सामान्यतः स्थानीयकृत वानियर-स्टार्क अवस्थाओं (localized Wannier-Stark states) को प्रदर्शित करते हैं जो डीसी परिवहन (DC transport) को रोकते हैं, एक स्थिर विद्युत क्षेत्र बैंड क्रॉसिंग बिंदुओं के पास इंटरबैंड क्वांटम ज्यामिति, विशेष रूप से अधिकतम क्वांटम दूरी और संबद्ध ज्यामितिक चरणों द्वारा संचालित लैंडौ-ज़ेनर टनलिंग (Landau-Zener tunneling) को प्रेरित करता है, जो तरंग फलनों (wavefunctions) को विस्थानीकृत (delocalize) करता है और गैर-तुच्छ परिवहन (nontrivial transport) को सक्षम बनाता है।
Electron-phonon interactions and instabilities in Weyl semimetals under magnetic fields and torsional strain
यह शोध पत्र इस बात की जांच करता है कि कैसे बाहरी चुंबकीय क्षेत्रों और टॉर्सनल स्ट्रेन (मरोड़ संबंधी तनाव) का संयोजन टाइप-I वेइल सेमीमेटल्स में असममित छद्म-चुंबकीय क्षेत्रों को प्रेरित करता है, जिसमें कपलिंग मापदंडों के परिणामी विकास और फोनोन एवं काइरल लैंडौ स्तरों के बीच अंतःक्रियाओं द्वारा संचालित जालक अस्थिरताओं के उद्भव का अन्वेषण करने के लिए रिनॉर्मलाइजेशन ग्रुप विश्लेषण का उपयोग किया गया है।
The Impact of Geometric Blockade on Thermoelectric Transport in Triangular Triple Quantum Dots
पदानुक्रमित समीकरणों (hierarchical equations of motion) का उपयोग करते हुए, यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि निम्न-तापमान स्थितियों के तहत एक त्रिकोणीय ट्रिपल क्वांटम डॉट प्रणाली में ज्यामितीय अवरोध (geometric blockade) को कम करने से विद्युत धारा की तुलना में ऊष्मा धारा में उल्लेखनीय वृद्धि होती है, जिससे थर्मोपावर बढ़ता है और एक अत्यंत उच्च थर्मोइलेक्ट्रिक फिगर ऑफ मेरिट प्राप्त होता है।
Quantum Metric Length as a Fundamental Length Scale in Disordered Flat Band Materials
यह शोधपत्र क्वांटम मेट्रिक लंबाई को अव्यवस्थित फ्लैट बैंड सामग्रियों में बैलिस्टिक, डिफ्यूसिव और लोकलाइजेशन (स्थानीयकरण) व्यवस्थाओं के माध्यम से इलेक्ट्रॉनिक परिवहन को नियंत्रित करने वाले एक मौलिक लंबाई पैमाने के रूप में स्थापित करता है, जो विशेष रूप से एक विकार-स्वतंत्र लोकलाइजेशन व्यवस्था और विसरण गुणांकों एवं क्वांटम मेट्रिक के बीच एक रैखिक संबंध को प्रकट करता है।