🔬 materials science
Time-resolved study of carbonization and growth of ultrathin 3C-SiC on Si(111) under ultra-high vacuum
यह अध्ययन अल्ट्रा-हाई वैक्यूम के तहत Si(111) पर अल्ट्राथिन 3C-SiC न्यूक्लिएशन और कोलेसेंस (संलयन) के काइनेटिक विकास को स्पष्ट करने के लिए टाइम-रिज़ॉल्व्ड XPS, माइक्रोस्कोपी और डेप्थ प्रोफाइलिंग का उपयोग करता है, जो यह प्रकट करता है कि 800°C पर 180 मिनट के एथिलीन एक्सपोज़र के बाद कार्बाइडिक चरण लगभग 80% पर संतृप्त हो जाता है, जिससे आगामी हेटरोएपिटैक्सियल विकास के लिए SiC/Si टेम्प्लेट्स को अनुकूलित करने हेतु महत्वपूर्ण अंतर्दृष्टि प्राप्त होती है।