Enhanced thermal conductivity of (010) (AlxGa1-x)2O3 epitaxial films utilizing indium-catalyzed molecular beam epitaxy
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि इंडियम-उत्प्रेरित मॉलिक्यूलर बीम एपिटैक्सी, दोष प्रकीर्णन (defect scattering) को दबाकर, उच्च गुणवत्ता वाली, एकल-चरण (010) (AlxGa1-x)2O3 फिल्मों के विकास को सक्षम बनाता है जिनकी तापीय चालकता पूर्व में रिपोर्ट किए गए मानों से दोगुनी है, जबकि यह मिश्र धातु प्रकीर्णन (alloy scattering) और इंटरफ़ेस स्टिफनिंगिंग (interface stiffening) के कारण तापीय गुणों में होने वाली आगामी गिरावट का भी लक्षण वर्णन करता है।