Impact of interface traps on charge noise, mobility and percolation density in Ge/SiGe heterostructures
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि Ge/SiGe हेटरोस्ट्रक्चर में वोल्टेज-प्रेरित हिस्टेरेसिस (hysteresis) सेमीकंडक्टर-ऑक्साइड इंटरफेस पर चार्ज ट्रैपिंग से उत्पन्न होता है, जो इलेक्ट्रोस्टैटिक डिसऑर्डर और चार्ज नॉइज़ को बढ़ाता है, जिससे स्पिन क्वबिट प्रदर्शन को अनुकूलित करने के लिए रूढ़िवादी डिवाइस ट्यूनिंग की महत्वपूर्ण आवश्यकता रेखांकित होती है।