Wafer-Scale Single-Crystalline Monolayer Graphene
यह शोध पत्र 4H-SiC(0001) के एक विशिष्ट सतह पुनर्निर्माण (surface reconstruction) का लाभ उठाकर एक-चरणीय विखंडन (one-step delamination) को सक्षम करने के माध्यम से, बहुपरत डोमेन से मुक्त, सेंटीमीटर आकार के निकट, एकल-क्रिस्टलीय मोनोलेयर ग्राफीन के उत्पादन के लिए एक स्केलेबल विधि प्रस्तुत करता है, जो अर्ध-पूर्णांक क्वांटम हॉल प्रभाव (half-integer quantum Hall effect) के अवलोकन द्वारा पुष्ट और 4-इंच वेफर्स पर प्रदर्शित किया गया एक महत्वपूर्ण सुधार है।