Strain-Induced Tuning of Third-Harmonic Generation in Monolayer Black Phosphorene
यह अध्ययन एक टाइट-बाइंडिंग मॉडल और सेमीकंडक्टर ब्लॉक समीकरणों का उपयोग यह प्रदर्शित करने के लिए करता है कि स्ट्रेन इंजीनियरिंग, विशेष रूप से आउट-ऑफ-प्लेन दिशा में, मोनोलेयर ब्लैक फॉस्फोरिन में इसके बैंडगैप और बेरी कनेक्शन को सहक्रियात्मक रूप से नियंत्रित करके थर्ड-हार्मोनिक जनरेशन को प्रभावी ढंग से ट्यून करती है, जिससे पुनर्गठनीय इन्फ्रारेड फोटोनिक उपकरणों के लिए गैररेखीय ऑप्टिकल प्रतिक्रियाओं के गतिशील नियंत्रण को सक्षम बनाया जा सके।