Nanoscale Mapping of Strain-engineered Excitons in Monolayer WSe
यह अध्ययन मोनोलेयर WSe में स्थानीय स्ट्रेन प्रोफाइल (strain profiles) को एक्सिटोनिक ऊर्जा बदलावों (excitonic energy shifts) के साथ सीधे सह-संबंधित करने के लिए क्रायोजेनिक स्कैटरिंग-टाइप स्कैनिंग नियर-फील्ड ऑप्टिकल माइक्रोस्कोपी (s-SNOM) का उपयोग करता है, जिससे यह स्पष्ट होता है कि नैनो-इंडेंटेशन संपीड़ित स्ट्रेन (compressive strain) और मोनोलेयर क्षति का कारण बनता है जबकि पैटर्न वाले सबस्ट्रेट्स तन्यतात्मक स्ट्रेन (tensile strain) उत्पन्न करते हैं, जिससे सिंगल-फोटॉन उत्सर्जन के जटिल स्ट्रेन-मध्यस्थ मूल कारणों का स्पष्टीकरण होता है।