Establishing the role of thickness in LaOBr; an alternative gate dielectric for vdW heterostructures
यह अध्ययन लांथेनम ऑक्सीब्रोमाइड (LaOBr) को वैन डेर वाल्स हेटरोस्ट्रक्चर के लिए एक श्रेष्ठ गेट डाइइलेक्ट्रिक के रूप में प्रमाणित करता है, जो इसके 12.2 के उच्च बल्क डाइइलेक्ट्रिक स्थिरांक और hBN के तुलनीय ब्रेकडाउन फील्ड्स को प्रदर्शित करता है, साथ ही यह स्थापित करता है कि इसका प्रभावी प्रदर्शन इंटरफेशियल डेड लेयर्स के कारण व्यवस्थित रूप से फिल्म की मोटाई पर निर्भर है।