Scaling Two-Dimensional Semiconductor Nanoribbons for High-Performance Electronics
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि मोनोलेयर ट्रांज़िशन मेटल डाइकैल्कोजेनाइड (TMD) नैनोरिबन को 30–40 nm की चौड़ाई तक स्केल करने से संपर्क प्रतिरोध (कॉन्टैक्ट रेजिस्टेंस) को कम करके और इलेक्ट्रोस्टैटिक्स में सुधार करके ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाया जा सकता है, जिससे उच्च ऑन-करंट डेंसिटी प्राप्त होती है जो उन्हें भविष्य के अल्ट्रा-स्केल्ड इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए आशाजनक उम्मीदवार बनाती है।