Rapid Atmospheric Vapor Deposition of H:In2O3 Transparent Conducting Oxide Thin Films
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि वायुमंडलीय दबाव रासायनिक वाष्प निक्षेपण (AP-CVD) मध्यम तापमान (140°C) पर, जल-व्युत्पन्न हाइड्रोजन डोपेंट्स का उपयोग करके वाहक गतिशीलता (carrier mobility) को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाकर, वाणिज्यिक मानकों की तुलना में बेहतर चालकता और पारगम्यता के साथ उच्च-प्रदर्शन वाले H:In2O3 पारदर्शी चालक ऑक्साइड फिल्मों को तेजी से और लागत प्रभावी रूप से संश्लेषित कर सकता है।