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🔬 सामग्री विज्ञान

Lithography-free patterning of SrTiO3_3-based two-dimensional electron gases using direct atomic layer processing

यह शोध पत्र SrTiO3_3 में टू-डायमेंशनल इलेक्ट्रॉन गैस बनाने के लिए एक स्केलेबल, लिथोग्राफी-मुक्त विधि प्रस्तुत करता है, जिसमें TiO2_2 पैटर्न जमा करने के लिए प्रत्यक्ष परमाणु परत प्रसंस्करण (डायरेक्ट एटॉमिक लेयर प्रोसेसिंग) का उपयोग किया जाता है जो Al निक्षेपण (डेपोजीशन) को निर्देशित करता है, जिससे ऑक्सीजन रिक्तियों (ऑक्सीजन वेकेंसीज) को प्रेरित कर उच्च वाहक घनत्व और इलेक्ट्रोस्टैटिक ट्यूनेबिलिटी वाले कंडक्टिव चैनल्स बनाए जाते हैं, और यह बिना पोस्ट-ग्रोथ माइक्रोफैब्रिकेशन के संभव होता है।

Anshu Gupta, Karolis Parfeniukas, Amit Chanda, Thor Hvid-Olsen, Mira Baraket, Maksym Plakhotnyuk, Kasper S. Pedersen, Fe (…)2026-08-13
🔬 सामग्री विज्ञान

Data-Efficient Adaptation of DPA-4 Force Fields to DFT+U Energetics: A Case Study in NiO

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि गलत चरण ऊर्जाओं (phase energetics) वाले व्यापक डेटासेट पर प्रीट्रेन किए गए फाउंडेशन मशीन-लर्नड फोर्स फील्ड्स को NiO जैसे विशिष्ट सहसंबद्ध (correlated) पदार्थों के लिए कॉम्पैक्ट टार्गेट-लेवल फाइन-ट्यूनिंग के माध्यम से कुशलतापूर्वक सुधारा जा सकता है, जो एक व्यावहारिक मल्टी-फिडेलिटी रणनीति को सक्षम बनाता है जो व्यापक प्रीट्रेनिंग के बाद अनुप्रयोग-विशिष्ट समायोजन को प्राथमिकता देता है।

Fengyu Xie, Peiheng Jiang, Zhicheng Zhong2026-08-13
🔬 सामग्री विज्ञान

Optically Tunable Threshold Switching and Thermally Activated Transport in Planar Ag/MAPbI3_3 Thin Single-Crystal Devices

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि प्लेनर Ag/MAPbI3_3 थिन सिंगल-क्रिस्टल डिवाइस अत्यंत कम डार्क करंट और तापीय रूप से सक्रिय परिवहन प्रदर्शित करते हैं, जबकि प्रकाश का प्रदीप्ति Ag/पेरोव्स्काइट संपर्कों पर युग्मित इंटरफेशियल और आयनिक प्रक्रियाओं द्वारा संचालित ऑप्टिकली ट्यूनेबल थ्रेशोल्ड स्विचिंग और पोलैरिटी-डिपेंडेंट हिस्टेरेसिसस को प्रेरित करता है।

Ofelia Durante, Valeria Demontis, Sebastiano De Stefano, Selene Matta, Adolfo Mazzotti, Daniela Marongiu, Emanuele Melon (…)2026-08-13
🔬 सामग्री विज्ञान

Resonant Raman signatures of bright and momentum-dark exciton coupled by intervalley phonon scattering in monolayer WSe2

hBN-एनकैप्सुलेटेड मोनोलेयर WSe2 पर रेजोनेंस रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी का उपयोग करने पर, अध्ययन यह प्रकट करता है कि ऑप्टिकल फोन मोड में असममित रेजोनेंस पीक्स तीसरे क्रम के स्कैटरिंग से उत्पन्न होते हैं जो ब्राइट एक्सिटोन को लगभग 45–55 meV कम ऊर्जा वाले मोमेंटम-डार्क एक्सिटोन से जोड़ते हैं, जिससे इस सामग्री के कुशल ब्राइट-टू-डार्क एक्सिटोन कपलिंग और विसंगत रूप से ब्राइट उत्सर्जन को समझने के लिए एक सूक्ष्म ढांचा प्राप्त होता है।

Hendrik Lambers, Nihit Saigal, Lara Blinov, Jonas Kiemle, Alexander W. Holleitner, Ursula Wurstbauer2026-08-13
🔬 मेसोस्केल भौतिकी

Dimensional crossover and local strain induced deflection of the spin spiral state in multiferroic NiI2

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि मल्टीफेरोइक NiI2 पतली फिल्मों में स्पिन स्पाइरल अवस्था, मोटाई बढ़ने के साथ बढ़े हुए इंटरलेयर एक्सचेंज ऊर्जा द्वारा संचालित एक आयामी क्रॉसओवर (dimensional crossover) से गुजरती है, जबकि फिल्म की झुर्रियों (wrinkles) से उत्पन्न स्थानीय तनाव स्पिन स्पाइरल वेववेक्टर को विचलित कर सकता है, जिससे वैन डेर वाल्स मल्टीफेरोइक्स में गैर-कोरेखीय चुंबकत्व और विद्युत ध्रुवीकरण को इंजीनियर करने के लिए मोटाई और तनाव दोनों को प्रभावी ट्यूनिंग विधियों के रूप में स्थापित किया गया है।

Tianxing Jiang, Lianchuang Li, Haiyan Zhu, Hongyu Wang, Junchao Tian, Wenzhao Wang, Weiyi Pan, Haitao Wang, Changlin Zhe (…)2026-08-13
🔬 प्रयुक्त भौतिकी

Thermoelastic Harvesting Outperforming Thermoelectric Generators Below 100 {\deg}C

यह शोध पत्र NiTi आकार-स्मृति मिश्र धातुओं (shape-memory alloys) का उपयोग करने वाले एक नवीन थर्मोइलास्टिक हार्वेस्टर को प्रस्तुत करता है जिसमें तीन प्रमुख डिज़ाइन नवाचार हैं जो 366 mW/cm³ का रिकॉर्ड तोड़िंग पावर डेंसिटी प्राप्त करते हैं, जो 100°C से नीचे की निम्न-श्रेणी की अपशिष्ट ऊष्मा रिकवरी के लिए मौजूदा थर्मोइलेक्ट्रिक, थर्मोमैग्नेटिक और पाइरोइलेक्ट्रिक जनरेटरों से बेहतर प्रदर्शन करता है।

Bruno Neumann, Andreas Henschke, Morik Nikolic, Sebastian Fähler2026-08-13
🔬 मेसोस्केल भौतिकी

Beam Routing through Excitons in Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि ट्रांज़िशन मेटल डाइकैल्कोजेनाइड मोनोलेयर्स में अंतर्निहित एक्सिटोनिक संक्रमण, विशेष रूप से डार्क एक्सिटोन के आउट-ऑफ-प्लेन द्विध्रुव (dipoles), बिना किसी बाहरी नैनोस्ट्रक्चरिंग की आवश्यकता के बड़े कोणों पर दिशात्मक प्रकाश उत्सर्जन उत्पन्न कर सकते हैं, जो कॉम्पैक्ट नैनोस्केल फोटोनिक रूटिंग के लिए एक नया मंच प्रदान करता है।

Yonas Lebsir, Jacob Terndrup Heiden, Jorge Barcia Rodríguez, Maria Papadopoulou, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, N. A (…)2026-08-13
🔬 प्रयुक्त भौतिकी

Effects of Tool Wear on the Surface Texture in Turning: A Feature Characterization Approach Based on ISO 21920-2

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि टर्निंग सरफेस प्रोफाइल्स पर ISO 21920-2 फीचर कैरेक्टराइजेशन को लागू करना, विशेष रूप से ग्रूव-लेवल मीन मैक्सिमम एब्सोल्यूट ग्रेडिएंट (Rdt‾groove\overline{R_\mathrm{dt}}_\mathrm{groove}) का उपयोग करके, स्टोकेस्टिक सरफेस नॉइज़ से डिटरमिनिस्टिक वियर-प्रेरित परिवर्तनों को अलग करके टूल वियर का सुदृढ़ और भौतिक रूप से व्याख्या योग्य अनुमान लगाने में सक्षम बनाता है।

Alexander Müller, Maximilian Berndt, Hagen Schmidt, Lars Müller, Matthias Eifler, Eberhard Kerscher, Benjamin Kirsch, Jö (…)2026-08-13
🔬 सामग्री विज्ञान

Finite Spinon Density-of-States in Triangular-Lattice Delafossite TlYbSe2_2

यह अध्ययन TlYbSe2_2 को एक क्षेत्र-ट्यून करने योग्य (field-tunable) त्रिकोणीय क्वांटम स्पिन लिक्विड के प्रमुख उम्मीदवार के रूप में पहचानता है, जो 20 mK तक एक अव्यवस्थित जमीनी अवस्था (disordered ground state), मुक्त स्पिनों के कारण 30 mK पर एक स्पिन-ग्लास संक्रमण, और कम तापमान पर एक सुदृढ़ रैखिक ऊष्मा क्षमता द्वारा अभिलक्षित है जिसे स्पिनोन (spinons) और तापीय रूप से उत्तेजित गेज फ्लक्स उत्तेजनाओं (gauge flux excitations) के बीच परस्पर क्रिया द्वारा समझाया गया है।

Bishnu P. Belbase, Arjun Unnikrishnan, Shi Feng, Eun Sang Choi, Johannes Knolle, Arnab Banerjee2026-08-12
🔬 सामग्री विज्ञान

Electron-phonon coupling in magnetic materials using the local spin density approximation

यह शोध पत्र स्थानीय स्पिन घनत्व सन्निकटन का उपयोग करके चुंबकीय पदार्थों में इलेक्ट्रॉन-फोनोन कपलिंग की गणना करने के लिए EPW पैकेज का विस्तार करता है, जो आयरन और निकेल पर सत्यापन के माध्यम से यह प्रकट करता है कि इलेक्ट्रॉन-फोनोन स्कैटरिंग आयरन में प्रतिरोधकता (रेसिस्टिविटी) पर हावी है लेकिन निकेल में यह इसके एक तिहाई से भी कम हिस्से के लिए जिम्मेदार है, जो उनके परिवहन गुणों में मौलिक अंतर को रेखांकित करता है।

Á. A. Carrasco Álvarez, M. Giantomassi, J. Lihm, G. E. Allemand, M. Mignolet, M. Verstraete, S. Poncé2026-08-12