Enhanced Screening in Epitaxial Graphene via Nearly Free-Electron Metal Intercalation
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि एपिटैक्सियल ग्राफीन और SiC सबस्ट्रेट के बीच इंडियम की एक द्विपरत (बाइलेयर) को अंतर्वेशित (इंटरकैलेट) करने से एक लगभग मुक्त-इलेक्ट्रॉन प्रणाली बनाकर परावैद्युत स्क्रीनिंग (डाइलेक्ट्रिक स्क्रीनिंग) में महत्वपूर्ण वृद्धि होती है, जिससे कमजोर सबस्ट्रेट अंतःक्रियाओं के कारण होने वाली इलेक्ट्रॉनिक प्रदर्शन सीमाओं को दूर किया जा सकता है।