🔬 Category

cond-mat.mtrl-sci

4685 पेपर

🔬 सामग्री विज्ञान

Electron-Mediated Phonon Polaritons in Quantum Cavities

यह शोध पत्र क्वांटम कैविटीज़ में इलेक्ट्रॉन-मध्यस्थता वाले फोनोन पोलरिटन्स (phonon polaritons) के एक गेज-इनवेरिएंट सिद्धांत को प्रस्तुत करता है, जो यह प्रकट करता है कि इलेक्ट्रॉनिक स्क्रीनिंग धातुओं में पोलरिटॉन निर्माण को दबा देती है जबकि गैप्ड सिस्टम (gapped systems) में इंटरबैंड अनुनाद इसे बढ़ाता है, और गेज इनवेरियेंस के कारण फोटॉन कंडेनसेशन के लिए एक नो-गो तंत्र (no-go mechanism) स्थापित करता है।

Mattia Udina, David Hagenmüller, Indranil Paul2026-10-15
🔬 सामग्री विज्ञान

Crystal Electric Field Analysis on the Magnetic Properties of Ferromagnetic CeRu2_2Ge2_2 Single Crystal

यह अध्ययन CeRu2_2Ge2_2 एकल क्रिस्टल के फेरोमैग्नेटिक गुणों की रिपोर्ट करता है, जो 7.5 K पर एक संक्रमण और एक मैग्नॉन गैप द्वारा अभिलक्षित है, जबकि यह प्रदर्शित करता है कि सामग्री की चुंबकीय अनिसोट्रॉपी और [001] दिशा के साथ ईजी एक्सिस (easy axis), एक क्रिस्टल इलेक्ट्रिक फील्ड मॉडल के साथ मात्रात्मक रूप से सुसंगत है जिसमें एक ग्राउंड स्टेट डबलट और 491 K एवं 671 K पर दो उत्तेजित अवस्थाएं हैं।

Shovan Dan, Suman Nandi, Gourav Dwari, Bishal Baran Maity, Bhagyashree A Chalke, Ruta Kulkarni, P. D. Babu, Arumugam Tha (…)2026-10-15✓ Author reviewed ⓘ
🔬 सामग्री विज्ञान

Superexchange coupling between a dilute Gd3+ probe and orphan spins in a valence-bond glass

तनु (dilute) Gd³⁺ इलेक्ट्रॉन पैरामैग्नेटिक रेजोनेंस को एक स्थानीय प्रोब के रूप में उपयोग करते हुए, यह अध्ययन प्रकट करता है कि Ba₂YMoO₆ की वैलेंस-बॉन्ड-ग्लास अवस्था में देखे गए संवर्धित लाइनविड्थ (linewidth) और गतिशील विसंरेखन (dynamical dephasing) का कारण प्रोब और अवशिष्ट अनाथ स्पिनों (residual orphan spins) के बीच लगभग 0.2 K का हस्तांतरित f-d सुपerexchange युग्मन (coupling) है, न कि कमजोर द्विध्रुवीय अंतःक्रियाएं।

Patrick Colgan, Artur Solodovnyk, Jeremy P. Carlo, Scott Dietrich2026-10-14
🔬 सामग्री विज्ञान

Composition-controlled optical fingerprints and anisotropy of self-trapped excitons in double perovskites

यह अध्ययन ऑप्टिकल स्पेक्ट्रोस्कोपी और एब इनिटियो (ab initio) गणनाओं को संयोजित करके यह प्रदर्शित करता है कि कैसे Sb डोपिंग और B-साइट अलॉयिंग लीड-फ्री Cs2BInCl6 डबल पेरोव्स्काइट्स में सेल्फ-ट्रैप्ड एक्सिटोन गुणों को ट्यून करती है, जो यह प्रकट करता है कि संरचना-निर्भर जाली विरूपण (lattice distortions) फोटोल्यूमिनेसेंस शिफ्ट को संचालित करते हैं जबकि ध्रुवीकरण-अनुरूपित माप एक्सिटोनिक वेवफंक्शन के प्रयोगात्मक फिंगरप्रिंट प्रदान करते हैं।

Simone Grillo, Offir Zachs Maishlos, Liya Koren, Rotem Strassberg, Rachel Lifer, Edi Maizenberg, Umberto De Giovannini (…)2026-10-14
🔬 सामग्री विज्ञान

A Transferable Machine-Learned Potential Enabling Large-Scale Copper-Carbon Simulations from Equilibrium to Extreme Conditions

यह शोध पत्र NEP-CuC को प्रस्तुत करता है, जो एक हस्तांतरणीय मशीन-लर्नड पोटेंशियल (machine-learned potential) है जो विविध स्थितियों—साम्यावस्था से लेकर अत्यधिक गैर-साम्यावस्था परिदृश्यों तक—में कॉपर-कार्बन प्रणालियों का सटीक रूप से अनुकरण करता है, जिससे थर्मल प्रबंधन, धातुकरण और इंटरफेशियल प्रोसेसिंग व्यवहारों में विस्तृत परमाणु संबंधी अंतर्दृष्टि प्राप्त होती है।

Feiyu Zhou, Wei Qiu, Yan Chen, Jiahui Liu, Yilun Liu, Shengying Yue, Penghua Ying2026-10-14
🔬 सामग्री विज्ञान

Reversible Magneto-ionic Modification of Metallic Magnetic Thin Films

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि आयनिक तरल गेटिंग (ionic liquid gating), इंटरफेशियल ऑक्सीकरण को नियंत्रित करने के लिए ऑक्सीजन प्रवास (oxygen migration) को प्रेरित करके धात्विक पतली फिल्मों के चुंबकीय गुणों पर प्रतिवर्ती, गैर-अस्थिर नियंत्रण सक्षम करती है, जिससे उन्नत स्पिंट्रोनिक अनुप्रयोगों के लिए एनिसोट्रॉपी (anisotropy), कोएर्सिविटी (coercivity) और डज़ालोशिंस्की-मोरिया इंटरेक्शन (Dzyaloshinskii-Moriya interaction) जैसे प्रमुख मापदंडों को ट्यून किया जा सकता है।

Md Golam Hafiz, Hari Babu Vasili, Philippa Shepley, Mannan Ali, Andrew J. Britton, Oscar Cespedes, Weibin Li, Manuel Val (…)2026-10-14
🔬 सामग्री विज्ञान

Transition-Metal-Induced Uniaxial Anisotropy in YFe3_3

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि YFe3_3 में चयनात्मक संक्रमण-धातु प्रतिस्थापन (विशेष रूप से V, Nb, और Ta) आसान-तल (easy-plane) से अक्षीय (uniaxial) मैग्नोक्रिस्टलाइन एनिसोट्रॉपी में संक्रमण को प्रेरित करता है, जिसमें YFe2.33_{2.33}Ta0.67_{0.67} 2.3 MJ/m3^3 की उच्च एनिसोट्रॉपी ऊर्जा प्राप्त करता है और YFe2.33_{2.33}V0.67_{0.67} एक तुलनीय अधिकतम ऊर्जा उत्पाद प्रदान करता है, जिससे उच्च तापीय स्थिरता वाले Fe-समृद्ध स्थायी चुंबकों को विकसित करने के लिए एक व्यवहार्य रणनीति प्रस्तुत होती है।

M. Nur Hasan, Bruno L. Fertig, Santa Pile, Rafael M. Vieira, Alena Vishina, Alexander Kovacs, Gotthard Rieger, Stefan De (…)2026-10-14
🔬 सामग्री विज्ञान

MINFF: A Family of Classical Force Fields for Minerals with Tunable Angle Terms

यह शोध पत्र MINFF प्रस्तुत करता है, जो खनिज सिमुलेशन के लिए शास्त्रीय बल क्षेत्रों (classical force fields) का एक ट्यूनेबल परिवार है, जो CLAYFF और INTERFACE जैसे मौजूदा मॉडलों की तुलना में प्रयोगात्मक संरचनात्मक और प्रत्यास्थ गुणों (structural and elastic properties) को पुनरुत्पादित करने में बेहतर सटीकता प्राप्त करने के लिए स्पष्ट बॉन्ड पदों (explicit bond terms) को इलेक्ट्रोस्टैटिक्स और एक एकल हार्मोनिक एंगल टर्म से बदल देता है।

Michael Holmboe, Nathan Lavauzelle, Rogers E. Swai2026-10-14
🔬 सामग्री विज्ञान

Orientation-Resolved Nanoindentation of Single Crystal Ti-15Mo: Inverted Elastic Anisotropy and Yield-Onset Behavior Beyond Simple CRSS Predictions

यह अध्ययन प्रकट करता है कि सिंगल-क्रिस्टल Ti-15Mo एक व्युत्क्रमित (inverted) प्रत्यास्थ अनिसोट्रॉपी (elastic anisotropy) और ⟨111⟩\langle111\rangle दिशा के पास जटिल यील्ड-ऑनसेट व्यवहार प्रदर्शित करता है जो मानक क्यूबिक क्रिस्टल भविष्यवाणियों और सरल श्मीड-फैक्टर (Schmid-factor) मॉडलों से विचलित होता है, जो संभवतः रिटेंड एथर्मल ω\omega-फेज रूपांतरणों के प्रभाव के कारण है।

Kidus Abebe, David Gaetano, Aurelia Moriyama-Gurish, Jana Šmilauerová, Yanfei Gao, Udo D. Schwarz, Amit Datye2026-10-14
🔬 सामग्री विज्ञान

Tellurium trioxide as an n-type wide-gap semiconductor with ultrahigh work functions from first principles

प्रथम-सिद्धांत गणनाओं (First-principles calculations) से पता चलता है कि η\eta-TeO3_3 एक आशाजनक n-प्रकार का वाइड-गैप अर्धचालक है जिसमें अतिउच्च कार्य फलन (~8 eV) हैं जो ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, बशर्ते कि ऑक्सीजन रासायनिक विभव को सटीक रूप से नियंत्रित किया जाए ताकि सतह के ऑक्सीजन रिक्तियों को दबाया जा सके जो अन्यथा इसके इलेक्ट्रॉनिक प्रदर्शन को खराब कर सकती हैं।

Tianwei Wang, Teruya Nagafuji, Kota Hanzawa, Hidenori Hiramatsu, Fumiyasu Oba2026-10-14