Spin-Axis-Layer Locking for Intrinsic Bipolar Altermagnetic Semiconductors: Proof-of-Concept in Bilayer CuBr2
यह शोध पत्र एक सार्वभौमिक स्पिन-एक्सिस-लेयर लॉकिंग (SALL) प्रतिमान प्रस्तावित करता है, जिसे ट्विस्टेड बाइलेयर पर प्रथम-सिद्धांत गणनाओं (first-principles calculations) के माध्यम से प्रदर्शित किया गया है, जो बिना किसी बाहरी स्ट्रेन की आवश्यकता के, गेट-ट्यून करने योग्य, वाहक प्रकार, स्पिन और सक्रिय परत के एक साथ स्विचिंग वाले अंतर्निहित बाइपोलर अल्टरमैग्नेटिक अर्धचालकों को सक्षम बनाता है।