Electronic Structure and Band-Edge Character of Ga-Substituted -AlO: A First-Principles Study
यह प्रथम-सिद्धांत (first-principles) अध्ययन यह प्रकट करता है कि -AlO में गैलियम को प्रतिस्थापित करने से मध्य-अंतराल अवस्थाओं (mid-gap states) का निर्माण किए बिना, चालन-बैंड मैनिफोल्ड (conduction-band manifold) को संशोधित करके बैंड अंतराल संकुचित हो जाता है, जो सरल बंध विस्तार के बजाय होस्ट लैटिस की Ga केंद्रों के आसपास स्थानीय संरचनात्मक विकृतियों को समायोजित करने की क्षमता द्वारा संचालित है।