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🔬 सामग्री विज्ञान

Substrate-metal interface engineering enhances TaN/Ta thin film superconducting resonator performance

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि सिलिकॉन सबस्ट्रेट और टेंटलम नाइट्राइड सीड लेयर के बीच एक पतली टेंटलम बफर लेयर डालने से नाइट्रोजन संचय और इंटरफेस पर संरचनात्मक विकार को दबाकर सुपरकंडक्टिंग रेज़ोनेटर के आंतरिक गुणवत्ता कारक (इंटरनल क्वालिटी फैक्टर) में महत्वपूर्ण वृद्धि होती है, जिससे टू-लेवल सिस्टम लॉस कम हो जाता है।

Moritz Singer, Harsh Gupta, Benedikt Schoof, Elena Willinger, Anton Orekhov, Alexandra Schewski, Samuil Kostadinov, Phil (…)2026-07-27
🔬 सामग्री विज्ञान

Ultra-transient grating spectroscopy for visualization of surface acoustics

यह शोध पत्र अल्ट्रा-ट्रांजिएंट ग्रेटिंग स्पेक्ट्रोस्कोपी (UTGS) को प्रस्तुत करता है, जो ट्रांजिएंट ग्रेटिंग तकनीकों का एक नवीन अनुप्रयोग है जो प्रारंभिक-समय की थर्मोअकॉस्टिक घटनाओं को कैप्चर करता है ताकि सतह ध्वनिक तरंगों (surface acoustic waves) के फ्रीक्वेंसी-डोमेन एंगुलर-रिजॉल्व्ड ग्रीन'स फंक्शन को सीधे विज़ुअलाइज़ किया जा सके, जिससे सिंगल-क्रिस्टलाइन और नैनोस्ट्रक्चर्ड सामग्रियों में इलास्टिक एनिसोट्रॉपी का विस्तृत, कॉन्टैक्टलेस लक्षण वर्णन संभव हो पाता है।

Tomáš Grabec, Pavla Stoklasová, Kristýna Repček, Jakub Kušnír, David Mareš, Martin Ševčík, Petr Sedlák, Hanuš Seiner2026-07-24
🔬 प्रकाशिकी

Event-sparse stack denoising for 4D-STEM applications

यह शोध पत्र 4D-STEM के लिए इवेंट-स्पार्स स्टैक डिनोइज़िंग (event-sparse stack denoising) प्रस्तुत करता है, जो एक ऐसी विधि है जो काफी कम इलेक्ट्रॉन डोज़ पर तुलनीय इमेज गुणवत्ता प्राप्त करने के लिए टाइम-रिज़ल्व्ड इलेक्ट्रॉन इवेंट डेटा और स्पर्सिटी-आधारित एल्गोरिदम का लाभ उठाती है, साथ ही दोष पहचान संवेदनशीलता को बढ़ाती है और महत्वपूर्ण डोज़ अनुमान को सक्षम करती है।

Gregory Nordahl, Rebekka Klemmt, Espen Drath Bøjesen2026-07-24
🔬 सामग्री विज्ञान

Loss Mechanisms in High-coherence Multimode Mechanical Resonators Coupled to Superconducting Circuits

यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि हाई-ओवरटोन बल्क एकोस्टिक-वेव रेज़ोनेटरों में पीज़ोइलेक्ट्रिक फिल्मों के दोष घनत्व (defect density) और इंटरफेस को अनुकूलित करने से फोनोन लाइफटाइम 400 μs तक और सुपरकंडक्टिंग क्वबिट्स के साथ युग्मित होने पर 1.1×1051.1\times10^5 का रिकॉर्ड-उच्च क्वांटम कोहेरेंस कूपरैटिविटी प्राप्त होती है, जो सर्किट क्वांटम एकोस्टोडायनामिक्स उपकरणों के लिए एक नया मील का पत्थर स्थापित करता है।

Raquel Garcia Belles, Alexander Anferov, Lukas F. Deeg, Loris Colicchio, Arianne Brooks, Tom Schatteburg, Maxwell Drimme (…)2026-07-24
🔬 सामग्री विज्ञान

A high-dimensional neural network potential for finite-temperature phenomena in NiTi martensite

यह शोध पत्र एक कठोरता से सत्यापित उच्च-आयामी न्यूरल नेटवर्क पोटेंशियल प्रस्तुत करता है जिसे DFT डेटा पर प्रशिक्षित किया गया है, जो NiTi मार्टेंसाइट की सूक्ष्म ऊर्जा और अनिसोट्रोपिक विरूपण तंत्रों को सटीक रूप से कैप्चर करता है, जिससे नैनोसेकंड समय पैमाने पर बड़े पैमाने के सिस्टम के सुदृढ़ परिमित-तापमान आणविक गतिशीलता सिमुलेशन सक्षम होते हैं।

Petr Jaroš, Petr Sedlák, Petr Šesták, Miroslav Černý, Jörg Behler, Hanuš Seiner2026-07-24
🔬 सामग्री विज्ञान

Analytical Forces from the Bethe-Salpeter Equation for Large-Scale Excited-State Relaxation

यह शोध पत्र बेथे-साल्पीटर समीकरण ढांचे के भीतर विश्लेषणात्मक परमाणु बलों के एक कुशल, GPU-त्वरित प्लेन-वेव कार्यान्वयन को प्रस्तुत करता है, जो बड़े ठोस-अवस्था प्रणालियों के लिए स्केलेबल उत्तेजित-अवस्था विश्रांति अध्ययनों को सक्षम बनाता है और हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड जैसे दोष वातावरणों में सेमीलोकल TDDFT त्रुटियों को सुधारने की इसकी क्षमता को प्रदर्शित करता है।

Yu Jin, Victor Wen-zhe Yu, Marco Govoni, Giulia Galli2026-07-24
🔬 सामग्री विज्ञान

First-principles calculation of electron-phonon spectral functions for defects using phonon interpolation

यह शोध पत्र एक फोनन-इंटरपोलेशन विधि प्रस्तुत करता है जो स्थानीय एब इनिटियो (ab initio) गणनाओं को सघन qq-बिंदु ग्रिड सैंपलिंग के साथ जोड़ता है ताकि वाइड-बैंड-गैप अर्धचालकों में दोषों के लिए इलेक्ट्रॉन-फोनन स्पेक्ट्रल फंक्शन और ऑप्टिकल लाइनशेप्स की सटीक गणना की जा सके, जो डायमंड में नाइट्रोजन-वैकेंसी सेंटर पर प्रदर्शित मानक सुपरसेल दृष्टिकोणों की रिज़ॉल्यूशन सीमाओं को दूर करता है।

Zoltan Santha, Gergo Thiering2026-07-24
🔬 सामग्री विज्ञान

Photo-induced currents and short-term memory for reservoir computing in a ferroelectric semiconductor

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि फेरोइलेक्ट्रिक सेमीकंडक्टर ErMnO3_3, अपने फोटो-प्रेरित धाराओं और नियंत्रणीय रिलैक्सेशन डायनेमिक्स का उपयोग करके, समय-परिवर्ती प्रकाश स्पंदों (लाइट पल्स) की पहचान सटीकता में महत्वपूर्ण सुधार करके, टेम्पोरल सूचना प्रसंस्करण के लिए एक ऊर्जा-कुशल भौतिक रिज़र्वोइर के रूप में कार्य कर सकता है।

Yan Meng Chong, Atreya Majumdar, Manuel Zahn, Ingvild Hansen, Karin Everschor-Sitte, Dennis Meier2026-07-24
🔬 सामग्री विज्ञान

Complete Raman Tensor Determination in Birefringent ββ-Ga2_2O3_3 by Single-Stage Hyperspectral Analysis of Polarization Angle-Resolved Raman Spectra

यह अध्ययन कई क्रिस्टल प्लेन पर ध्रुवीकरण कोण-विक्षिप्त (polarization angle-resolved) रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी को एक नवीन फिटिंग प्रक्रिया के साथ जोड़कर, जो सामग्री के द्विअपवर्तन (birefringence) को स्पष्ट रूप से ध्यान में रखती है, मोनोक्लिनिक β\beta-Ga2_2O3_3 के सभी 15 रमन-सक्रिय मोड के लिए ऊर्जाओं और सापेक्ष रमन टेंसर तत्वों के पूर्ण मात्रात्मक निर्धारण को प्राप्त करता है।

Hans Tornatzky, Jonas Rose, Moritz Meißner, Benjamin M. Janzen, Zbigniew Galazka, Juan Sebastián Reparaz, Manfred E. Ram (…)2026-07-24
🔬 मेसोस्केल भौतिकी

Visualization of Defect Electronic States in Layered Semiconductor CrSBr

स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोपी/स्पेक्ट्रोस्कोपी को एब इनिटियो सिमुलेशन के साथ संयोजित करते हुए, यह अध्ययन CrSBr में एक सामान्य अंतर्निहित दोष के रूप में b-अक्ष-संरेखित डबल सल्फर रिक्ति (vacancy) की पहचान करता है और वैलेंस बैंड एज के पास इसके संरचनात्मक और इलेक्ट्रॉनिक हस्ताक्षरों को अभिलक्षणित करता है।

Jonathan Brunette, Joost Aretz, Kiyoung Jo, Aljoscha Soll, Zdeněk Sofer, Malte Rösner, Nathan Guisinger, Adina Luican-Ma (…)2026-07-24