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यह अध्ययन Sn-डोप्ड Cu2Te (ब्रोंज टेल्यूराइड) के संश्लेषण के लिए एक संधारणीय, स्केलेबल केमिकल वेपर डिपोजिशन रणनीति प्रदर्शित करता है जो 500 K पर 1 का थर्मोइलेक्ट्रिक फिगर ऑफ मेरिट प्राप्त करता है और एक कैस्केडेड मॉड्यूल में सफलतापूर्वक वोल्टेज उत्पन्न करता है, जो मध्यम से उच्च-तापमान अपशिष्ट ऊष्मा रिकवरी के लिए एक आशाजनक मार्ग प्रदान करता है।
यह शोधपत्र एक सममिति-निर्देशित, तंत्र-विभेदित ढांचे को स्थापित करता है जो चुंबकीय बिंदु समूह विश्लेषण के साथ गैररेखीय और रैखिक चालकताओं के बीच विशिष्ट स्केलिंग नियमों को जोड़कर, अव्यवस्थित सामग्रियों में तृतीय-क्रम (थर्ड-ऑर्डर) गैररेखीय परिवहन के 20 विशिष्ट तंत्रों की पहचान करता है और उन्हें मात्रात्मक रूप से अलग करता है।
यह अध्ययन प्रकट करता है कि विकिरणित अमोर्फस (अनाकार) GaAs के पुनर्रि kristallization (पुनः क्रिस्टलीकरण) के दौरान, संरचनात्मक सुधार एपिटैक्सियल विकास और नैनोट्विन निर्माण से जुड़ी विशिष्ट निम्न- और उच्च-तापमान व्यवस्थाओं के माध्यम से आगे बढ़ता है, फिर भी यह संरचनात्मक बहाली इलेक्ट्रॉनिक बहाली से महत्वपूर्ण रूप से विच्छेदित है, जो विरोधाभासी रूप से अमोर्फस अवस्था की तुलना में और अधिक खराब हो जाती है क्योंकि यह दीर्घ-परासी क्रम की हानि बनाम स्थानीयकृत दोषों के विपरीत प्रभावों के कारण होता है।
यह अध्ययन प्रथम-सिद्धांत गणनाओं (first-principles calculations) का उपयोग करता है यह प्रकट करने के लिए कि FePt/BaTiO हेट्रोस्ट्रक्चर में विद्युत-क्षेत्र-संचालित चुंबकत्व स्विचिंग इंटरफेस पर स्ट्रेन-नियंत्रित कक्षीय पुनर्गठन (strain-controlled orbital reconstruction) से उत्पन्न होती है, जो चुंबकीय सुलभ अक्ष (magnetic easy axis) को उलटने के लिए स्पिन-ऑर्बिट कपलिंग को नियंत्रित करती है और अल्ट्रा-लो-पावर मैग्नेटिक मेमोरी के लिए एक मार्ग प्रदान करती है।
यह अध्ययन यह प्रदर्शित करने के लिए कि सेंट्रोसिमेट्रिक (centrosymmetric) 1T -MoTe में विशिष्ट कोहेरेंट -सममित फोनन मोडों का फेमटोसेकंड लेजर उत्तेजना बैंड-चयनात्मक इलेक्ट्रॉन-फोनन कपलिंग को प्रेरित करता है, जिसके परिणामस्वरूप कुछ मिली-इलेक्ट्रॉन वोल्ट (meV) का परिमाणात्मक अल्ट्राफास्ट बैंड रेनोर्मलाइजेशन होता है, टाइम-एंड-एंगल-रिज़ॉल्व्ड फोटोएमिशन स्पेक्ट्रोस्कोपी को एब इनिशियो (ab initio) गणनाओं के साथ उपयोग करता है।
यह शोध पत्र प्रस्तावित करता है कि एक एकल-बैंड हबर्ड मॉडल (single-band Hubbard model) में मुख्य रूप से प्रतिकर्षण वाले ऑनसाइट एक्सचेंज इंटरेक्शन () के भीतर हंड्स कपलिंग () से उत्पन्न एक आकर्षक घटक, उच्च-तापमान सुपरकंडक्टिविटी के लिए एक तंत्र प्रदान करता है, जो क्यूप्रेट्स (cuprates) और आयरन फेनटाइड्स (iron pnictides) में सुपरकंडक्टिंग डोम और डोपिंग एसिमेट्री को सफलतापूर्वक पुनरुत्पादित करता है।
यह शोध पत्र DeepCormack को प्रस्तुत करता है, जो एक हाइब्रिड मॉडल-आधारित और डीप-लर्निंग एल्गोरिदम है जो सिंगुलर वैल्यू और डायनेमिक मोड डिकंपोजिशन के माध्यम से यथार्थवादी सिंथेटिक प्रशिक्षण सेट उत्पन्न करके ACAR डेटा से 3D फर्मी सतह पुनर्निर्माण की गुणवत्ता में सुधार करता है और इसे महत्वपूर्ण रूप से त्वरित करता है, जिससे अधिग्रहण का समय महीनों से घटकर सप्ताहों में रह जाता है।
यह शोध पत्र प्रस्तावित करता है कि बड़े-कोण वाले ट्विस्टेड वैन डेर वाल्स मल्टीलेयर्स, इंटरलेयर टनलिंग को दबाकर और कूलम्ब इंटरैक्शन को संरक्षित करके, तर्कहीन एनीऑन्स (irrational anyons) के साथ स्वाभाविक रूप से त्रि-आयामी, गैर-फोलिएटेड फ्रैक्शनल क्वांटम हॉल अवस्थाओं को साकार कर सकते हैं, जिससे 3D टोपोलॉजिकल ऑर्डर के पारंपरिक अवरोध को दूर किया जा सके।
यह शोध पत्र पल्स्ड लेजर डिपोजिशन के माध्यम से SiO सबस्ट्रेट्स पर मोनो- और फिव-लेयर MoS के कमरे के तापमान पर विकास को प्रदर्शित करता है और फिल्म की मोटाई एवं दोष घनत्व को लक्षणबद्ध करने के लिए मल्टीवेवलेंथ रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी का उपयोग करता है, साथ ही परिणामी सामग्री में समरूपता-निर्भर एक्सिटोन-फोनन कपलिंग के प्रयोगात्मक साक्ष्य भी प्रदान करता है।
यह शोध पत्र हेलिकोइडल सतहों पर नैनोरिबन के ज्यामितीय एनालॉग के रूप में ग्राफीन नैनोहेलिकॉइड्स को प्रस्तुत करता है, जो टाइट-बाइंडिंग मॉडल के माध्यम से यह प्रकट करता है कि उनकी नॉनसिम्मोर्फिक समरूपता अद्वितीय एंटी-कायरल गुणों को प्रेरित करती है और अर्धचालक एवं धात्विक अवस्थाओं के बीच चौड़ाई-निर्भर आवधिक संक्रमण उत्पन्न करती है, जो वैकल्पिक टोपोलॉजिकल ज़ैक चरणों (Zak phases) द्वारा साथ दिया जाता है।