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Reversible intrinsic-extrinsic crossover of the anomalous Hall effect in PrAlSi via Al/Si ratio tuning

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि PrAlSi एकल क्रिस्टल में Al/Si अनुपात का प्रतिवर्ती ट्यूनिंग (reversible tuning) विसंगत हॉल प्रभाव (anomalous Hall effect) के एक अद्वितीय आंतरिक-बाह्य-आंतरिक क्रॉसओवर को संचालित करने के लिए एक रासायनिक नॉब (chemical knob) के रूप में कार्य करता है, जो मुख्य रूप से फर्मी स्तर और वाहक गतिशीलता (carrier mobility) को संशोधित करके होता है।

Huiyang Yang, Xiaohua Luo, Hongwei You, Wei Ren, Yuntao Gao, Changcai Chen, Zhishuo Zhang, Chunsheng Fang, Shengcan Ma2026-10-14
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Indirect prediction and screening of frustrated magnetic materials using machine learning

यह शोध पत्र क्यूरी-वीस (Curie-Weiss) और नील (Neel) तापमानों का स्वतंत्र रूप से अनुमान लगाकर चुंबकीय कुंठा सूचकांक (magnetic frustration index) की अप्रत्यक्ष रूप से भविष्यवाणी करने के लिए कैटबूस्ट (CatBoost) का उपयोग करते हुए एक मशीन लर्निंग वर्कफ़्लो प्रस्तुत करता है, जिसने नवीन ऑक्साइड प्रणालियों सहित 20 उच्च-विश्वास वाले कुंठित चुंबकीय उम्मीदवारों की पहचान करने के लिए 67,000 से अधिक यौगिकों की सफलतापूर्वक स्क्रीनिंग की है।

Regina Burganova, Irina Piyanzina, Ruslan Akhmerov, Alexander Sigov, Maxim Fedorov2026-10-14
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Hidden Spin-Valley Hall Effect and Gate-Switchable Electric Hall Effect in 2D Altermagnets

यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि स्पिन-वैली-लेयर कपलिंग वाले 2D अल्टरमैग्नेट्स एक छिपे हुए स्पिन-वैली हॉल प्रभाव को प्रदर्शित करते हैं जिसे एक बाहरी क्षेत्र द्वारा गेट-स्विच करने योग्य इलेक्ट्रिक हॉल सिग्नल में प्रकट किया जा सकता है, जो सभी-विद्युत वैली-स्पिन नियंत्रण और मैग्नेटो-ऑप्टिक्स के लिए एक नया समरूपता-आधारित मार्ग प्रदान करता है।

Jiajun Lu, Mu Tian, Chaoxi Cui, Zhi-Ming Yu, Yugui Yao, Run-Wu Zhang2026-10-14
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EpNet-Si: Atomic Form Factors Learned from Band Structures

यह शोध पत्र सिलिकॉन के लिए एक इक्विवैरिएंट न्यूरल नेटवर्क-उन्नत एम्पिरिकल स्यूडोपोटेंशियल विधि, EpNet-Si को प्रस्तुत करता है, जो विविध क्रिस्टल संरचनाओं में घनत्व कार्यात्मक सिद्धांत (DFT) के तुलनीय त्रुटियों के साथ तेज़ और सटीक बैंड संरचना भविष्यवाणियों को प्राप्त करने के लिए स्थानीय परिवेश से परमाणु फॉर्म फैक्टर्स को सीखता है।

Qiang Zhu2026-10-14
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Pressure-Driven Evolution of the Physical Properties of Layered Y2GaB and Y2InB MAB Phases: A Comparative First-Principles Study

यह प्रथम-सिद्धांत (first-principles) अध्ययन 20 GPa तक दबाव-निर्भर संरचनात्मक, प्रत्यास्थ, इलेक्ट्रॉनिक और कंपन गुणों के आधार पर स्तरित Y2GaB और Y2InB MAB चरणों की तुलना करता है, जो यह प्रकट करता है कि Y2GaB संपीड़न के तहत उन्नत तापीय और प्रत्यास्थ प्रदर्शन के साथ यांत्रिक रूप से स्थिर रहता है, जबकि Y2InB परिवेशी दबाव के परे अस्थिर है, जिससे उनके दबाव-संचालित विकास को नियंत्रित करने में M-साइट प्रतिस्थापन की महत्वपूर्ण भूमिका स्पष्ट होती है।

M. Rabi Us Sani Shapon, Md. Asif Afzal, Jubair Hossan Abir, Raihana Shams Islam, Saleh Hasan Naqib2026-10-14
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Pressure-transferable universal machine-learning potentials: the WBM-MatPES benchmark and Tuga-FF

यह शोध पत्र उच्च दबाव के तहत मशीन-लर्निंग पोटेंशियल का व्यवस्थित रूप से मूल्यांकन करने के लिए WBM-MatPES बेंचमार्क डेटासेट प्रस्तुत करता है और Tuga-FF पेश करता है, जो एक ग्राफ ट्रांसफार्मर मॉडल है जो 150 GPa तक परिवेशी और चरम दबाव की स्थितियों में उच्च सटीकता बनाए रखते हुए मौजूदा तरीकों से काफी बेहतर प्रदर्शन करता है।

Pierre-Paul De Breuck, Thalis H. B. da Silva, Antoine Loew, Silvana Botti, Miguel A. L. Marques2026-10-14
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Selective faceting induced by Hexagonal Boron Nitride on curved Platinum substrate

यह अध्ययन प्रयोगात्मक लक्षण वर्णन और प्रथम-सिद्धांत गणनाओं को संयोजित करता है यह प्रदर्शित करने के लिए कि एक वक्रीय प्लैटिनम सबस्ट्रेट पर हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड की वृद्धि, ओवरलेयर-सबस्ट्रेट इंटरेक्शन स्ट्रेंथ को बदलकर विशिष्ट क्रिस्टल प्लेन में चयनात्मक फैसेटिंग को प्रेरित करती है, जिससे सतह के फैसेट्स की सापेक्ष स्थिरता बदल जाती है।

Alaa Mohammed Idris Bakhit, Muhammad Saad Mahmood, Khadiza Ali, Anna A. Makarova, Igor Piš, Federica Bondino, Frederik S (…)2026-10-14
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Inverse Designing Reconfigurable Piezoelectric Tensors via Architectural and Modal Programming

यह शोधपत्र एक ग्राफ-आधारित इन्वर्स डिज़ाइन फ्रेमवर्क प्रस्तुत करता है जो पुनर्गठनीय पीज़ोइलेक्ट्रिक टेंसरों के आर्किटेक्चरल और मोडल प्रोग्रामिंग को सक्षम बनाता है, जिससे एक एकल संरचना को पारंपरिक असेंबली की तुलना में आयतन को काफी कम करते हुए कई दिशाओं में प्रोग्राम करने योग्य, आवृत्ति-चयनात्मक सेंसिंग और एक्चुएशन प्राप्त करने की अनुमति मिलती है।

Anish Satpati, Marco Maurizi, Hyunmoon Cho, Victor Couedel, Nicolas Mule, Xiaoyu, Zheng2026-10-14
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Enhancing Quasi-Two-Dimensional Electronic Structure in Bi2O2Se via Chlorine Substitution

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि Bi2O2Se\text{Bi}_2\text{O}_2\text{Se} में क्लोरीन प्रतिस्थापन प्रभावी रूप से इसके अर्ध-द्वि-आयामी (quasi-two-dimensional) चरित्र को बढ़ाने के लिए वैन डेर वाल्स अंतराल (van der Waals gaps) पेश करता है और उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता जैसे प्रमुख इलेक्ट्रॉनिक गुणों को संरक्षित करते हुए व्यापक बैंडगैप इंजीनियरिंग को सक्षम बनाता है।

Yong-Zhen Jiang, Qi-Xun Wen, Xiang Xu, Su-Tao Sun, Feng-Fan Ren, Zi-Xuan Zhou, Xing-Yuan You, Yu-Cheng Kan, Zheng Zhang (…)2026-10-14
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Large Out-of-plane Polarization in Two-dimensional Bi2O3 Monolayers Predicted by an AI-driven Inverse-design Workflow

इस अध्ययन में मशीन-लर्निंग पोटेंशियल्स और फर्स्ट-प्रिंसिपल्स गणनाओं के साथ एक एआई-संचालित इनवर्स-डिजाइन वर्कफ़्लो को एकीकृत करके, दो गतिशील रूप से स्थिर 2D Bi2O3 मोनोलेयर्स की भविष्यवाणी की गई है जो असाधारण रूप से बड़े आउट-ऑफ-प्लेन पोलराइजेशन प्रदर्शित करते हैं, जो यह प्रदर्शित करता है कि आयामीता-प्रेरित समरूपता भंग (dimensionality-induced symmetry breaking) उच्च-पोलराइजेशन वाले 2D ऑक्साइडों की खोज के लिए एक व्यवहार्य रणनीति है।

Hongmei Tan, Jing Zhang, Shan Gao, Yueyu Zhang, Xiangmei Duan2026-10-14