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यह अध्ययन हाइब्रिड-डेंसिटी-फंक्शनल थ्योरी का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि वेइल सेमीमेटल LaAlGe में स्वाभाविक रूप से पाए जाने वाले, डोनर-जैसे Ge-on-Al एंटीसाइट दोष महत्वपूर्ण इलेक्ट्रॉन डोपिंग और स्कैटरिंग उत्पन्न करते हैं, जिससे इसके अंतर्निहित वेइल भौतिकी और परिवहन गुणों को अस्पष्ट किया जाता है।
यह अध्ययन VO/WO द्विपरतों (बाइलेयर्स) के सेलेनलीकरण द्वारा नियंत्रित वैनेडियम डोपिंग प्राप्त करके WSe फिल्मों के ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक गुणों को ट्यून करने की एक स्केलेबल विधि प्रदर्शित करता है, जो होल कंडक्शन (छिद्र चालन) को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता है और इंसुलेटर-टू-मेटल ट्रांजिशन प्रेरित करता है।
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि गैररेखीय परिवहन माप (nonlinear transport measurements) 48 K से नीचे CaRuO में सब-पिकोमीटर जालक विरूपण (sub-picometer lattice distortions) और छिपी हुई सममिति भंग (hidden symmetry breaking) का पता लगा सकते हैं, जो एक अल्टरमैग्नेटिक चरण (altermagnetic phase) में संक्रमण को प्रकट करता है जिसे पारंपरिक विवर्तन तकनीकों द्वारा पता नहीं लगाया जा सकता है।
प्रथम-सिद्धांतों पर आधारित परमाणु सिमुलेशन (first-principles-based atomistic simulations) प्रकट करते हैं कि अतिसूक्ष्म स्वतंत्र रूप से स्थित फेरोइलेक्ट्रिक ऑक्साइड परतें तरल जैसी डोमेन, हेलिक्स-तरंगों और काइरल बुलबुलों सहित नियंत्रणीय टोपोलॉजिकल ध्रुवीय बनावटों की एक विविध श्रेणी को धारण करती हैं, जो उन्हें भविष्य के फेरोइक उपकरणों के लिए आशाजनक मंच के रूप में स्थापित करती हैं।
यह अध्ययन एक प्रथम-क्रम रैखिकीकरण ढांचे (first-order linearization framework) को प्रस्तुत करता है जो मैक्रोस्कोपिक प्रयोगशाला डेटा का उपयोग करके दानेदार सामग्रियों (granular materials) में यांत्रिक और संरचनात्मक अनिसोट्रॉपी (anisotropy) को सफलतापूर्वक अलग और परिमाणित करता है, यह प्रकट करते हुए कि जबकि यांत्रिक रूप से प्रेरित अनिसोट्रॉपी लगातार अधिक मजबूत होती है, दोनों घटक बढ़ते हुए डेविएटरिक स्ट्रेस (deviatoric stress) के साथ तीव्र होते हैं।
यह शोध पत्र 4D-STEM डेटा के लिए लॉसलेस कंप्रेशन विधियों का बेंचमार्किंग करता है, यह प्रदर्शित करते हुए कि जबकि blosc_zstd जैसे एल्गोरिदम gzip-9 की तुलना में बेहतर गति और तुलनीय अनुपात प्रदान करते हैं, टिकाऊ उच्च-थ्रूपुट वर्कफ़्लो के लिए अंतिम समाधान सघन रॉ मापन को संग्रहीत करने के बजाय अनुमान-पर्याप्त (inference-sufficient) निरूपणों को अपनाने की ओर स्थानांतरित होने में निहित है।
यह अध्ययन एल्युमीनियम एंटीमोनाइड (AlSb) को क्यूबिक और हेक्सागोनल दोनों चरणों में अभिलक्षित करने के लिए उन्नत प्रथम-सिद्धांत गणनाओं (first-principles calculations) का उपयोग करता है, जो उनकी अर्ध-प्रत्यक्ष बैंडगैप प्रकृति, मजबूत ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक प्रतिक्रिया, और वाहक गतिशीलता एवं कम तापीय चालकता द्वारा संचालित पूरक थर्मोइलेक्ट्रिक लाभों को प्रकट करता है, जबकि विश्वसनीय गुण भविष्यवाणी के लिए Sb d-इलेक्ट्रॉन प्रभावों के सटीक मॉडलिंग की महत्वपूर्ण भूमिका पर जोर देता है।
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि एकल-डोमेन इटिनरेंट फेरोमैग्नेट ZrZn में, विसंगत हॉल चालकता (anomalous Hall conductivity) चुंबकत्व पर एक गैर-रेखीय निर्भरता प्रदर्शित करती है जो छोटे चुंबकीय क्षणों पर टूट जाती है और यहाँ तक कि अपना चिह्न भी बदल लेती है, जो रैखिक संबंध की पारंपरिक धारणा को चुनौती देती है।
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि XDM विक्षेपण (डिस्पर्शन) मॉडल में तीन-शरीर वाले एक्सिलरोड-टेलर-मुटो इंटरैक्शन को शामिल करना, विशेष रूप से नए Z-डैम्पिंग फंक्शन के साथ, अब तक अर्ध-स्थानीय घनत्व-कार्यात्मक सिद्धांत (सेमी-लोकल डेंसिटी-फंक्शनल थ्योरी) का उपयोग करके स्तरित सामग्रियों के लिए सबसे सटीक एक्सफोलिएशन ऊर्जा प्रदान करता है।
यह अध्ययन प्रथम-सिद्धांत गणनाओं (first-principles calculations) का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि जबकि अधिकांश हाइब्रिड कार्बनिक-अकार्बनिक चल्कोजेनाइड पेरोव्स्काइट संरचनात्मक रूप से अस्थिर हैं, हाइड्राज़िनियम-आधारित यौगिक \ce{N2H6ZrSe3} 1.31 eV बैंड गैप और 24.5% की सैद्धांतिक दक्षता के साथ एक आशाजनक, स्थिर लेड-मुक्त फोटोवोल्टिक अवशोषक के रूप में उभरता है।