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यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि जबकि दबावयुक्त क्षारीय जल इलेक्ट्रोलिसिस में ऊष्मागतिक वोल्टेज हानि दबाव के साथ बढ़ती है, उच्च धारा घनत्वों पर बुलबुले-प्रेरित ओवरपोटेंशियल (overpotentials) में होने वाली समवर्ती कमी इस दंड की अधिक भरपाई कर सकती है, जिससे अंततः समग्र दक्षता में सुधार होता है।
लेजर-आधारित ARPES का उपयोग करते हुए, यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि Bi₂(Se₁₋ₓTeₓ)₃ टोपोलॉजिकल इंसुलेटर में टेल्यूरियम की मात्रा बढ़ाने से रासायनिक क्षमता और बल्क डेंसिटी ऑफ स्टेट्स कम हो जाती है, जिससे अर्धचालकीय व्यवहार में संक्रमण प्रेरित होता है जहाँ कम तापमान पर धात्विक टोपोलॉजिकल सतह अवस्थाएं विद्युत परिवहन पर हावी हो जाती हैं।
यह सैद्धांतिक अध्ययन प्रदर्शित करता है कि जबकि 2D FeGeXTe मोनोलेयर्स में अंतर्निहित डज़ालोशिंस्की-मोरिया इंटरैक्शन (Dzyaloshinskii-Moriya interactions) गैर-समानांतर अवस्थाओं को स्थिर करने के लिए बहुत कमजोर हैं, फ्रस्ट्रेटेड आउट-ऑफ-प्लेन DMI परमाणु-पैमाने के 3 चुंबकीय बनावट और नैनोस्किमियन-जैसे जालों को बढ़ावा देता है, जिन्हें स्ट्रेन या इलेक्ट्रिक फील्ड के माध्यम से और अधिक स्थिर और ट्यून किया जा सकता है।
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि एक इलेक्ट्रोकेमिकली एक्सफोलिएटेड MoS2/WS2 2D/2D हेटरोस्ट्रक्चर नैनोकम्पोजिट, जिसमें टाइप-II बैंड अलाइनमेंट और अत्यंत पतली परतें हैं, चार्ज सेपरेशन और रिएक्टिव ऑक्सीजन स्पीशीज के उत्पादन को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाकर फार्मास्युटिकल प्रदूषक सोराफेनिब के अत्यधिक कुशल दृश्य-प्रकाश-संचालित क्षरण को प्राप्त करता है।
यह अध्ययन इन-प्लेन चुंबकीय क्षेत्र रोटेशन के तहत पॉलीक्रिस्टलाइन ZnO फिल्मों में बाइपोलर और यूनिपोलर मैग्नेटोस्ट्रिक्शन के बीच स्विचिंग के कमरे के तापमान पर अवलोकन की रिपोर्ट करता है, जो क्रिस्टल एनिसोट्रॉपी (crystal anisotropy) के कारण होने वाली एक घटना है जो माइक्रो और नैनो-इलेक्ट्रॉनिक सेंसर और एक्चुएटर्स के लिए इस सामग्री की क्षमता को उजागर करती है।
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि एक WTe2 परत के माध्यम से प्रवाहित होने वाली चार्ज धारा एक कक्षीय-चुंबकत्व-प्रेरित प्रभावी चुंबकीय क्षेत्र के माध्यम से एक आसन्न Fe3GeTe2 लौहचुंबकीय (फेरोमैग्नेट) के चुंबकीय क्रम को बढ़ा सकती है, जो सफलतापूर्वक इसके क्यूरी तापमान को कमरे के तापमान से ऊपर ले जाने और नियंत्रित चरण संक्रमणों को सक्षम करने में सफल रही है।
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि GaAs(001) पर विकसित एकल-क्रिस्टलीय FeCo पतली फिल्मों को मिश्र धातु बनाने से इंटरफेशियल स्पिन-ऑर्बिट इंटरेक्शन और मैग्नेटिक डैम्पिंग को निरंतर ट्यून करना सक्षम होता है, जिससे 20% को सांद्रता के पास लगभग 0.0015 का एक अल्ट्रा-लो डैम्पिंग गुणांक प्राप्त होता है और इंटरफेशियल स्पिन-ऑर्बिट क्षेत्रों एवं मैग्नेटिक रिलैक्सेशन के बीच एक सीधा संबंध स्थापित होता है।
यह अध्ययन कॉन्फ़िगरेशन-मॉडल ग्राफों पर जनरेटिंग-फंक्शन मीन-फील्ड थ्योरी का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि रैंडम कोवेलेंट नेटवर्क में रिजिडिटी परकोलेशन मैक्सवेल आइसोस्टैटिक बिंदु पर एक टोपोलॉजिकल-मैकेनिकल डिजेनेरेसी प्रदर्शित करता है, मध्यवर्ती चरण के भीतर एक विशिष्ट टोपोलॉजिकल माइलस्टोन (12.5% जाइंट रिजिड कंपोनेंट) की पहचान करता है, और इस संरचनात्मक दहलीज तथा सामाजिक और जैविक प्रणालियों में कमिटेड-माइनॉरिटी टिपिंग पॉइंट्स के बीच एक सार्वभौमिक संबंध को प्रकट करता है।
यह शोध पत्र विविक्त एक-आयामी श्रृंखलाओं और निरंतर माध्यमों दोनों में लघु-आयाम विक्षोभों का विश्लेषण करके चार-घटक कोलीनियर प्रति-लौह चुंबकीय (antiferromagnetic) सामग्रियों में स्पिन तरंग प्रकीर्णन और अस्थिरताओं की जांच करता है, जो यह प्रकट करता है कि अनिसोट्रॉपी अक्ष के लंबवत संतुलन स्पिन वाली विन्यास अनिवार्य रूप से ऋणात्मक आवृत्ति वर्ग वाले अस्थिर मोड की ओर ले जाते हैं।
यह शोध पत्र एक न्यूरल-ऑपरेटर-त्वरित समवर्ती बहु-पैमाने वाले ढांचे (कन्करेंट मल्टीस्केल फ्रेमवर्क) को प्रस्तुत करता है जो एक रिकरेंट न्यूरल ऑपरेटर सरोगेट का उपयोग करके परमाणु सिमुलेशन को निरंतर परिमित-तत्व विश्लेषण (कॉन्टिन्यूम फाइनाइट-एलिमेंट एनालिसिस) के साथ जोड़ता है, ताकि पॉलीयूरिया जैसे पदार्थों के इतिहास-निर्भर विस्कोइलास्टिक व्यवहार को उन पैमानों पर कुशलतापूर्वक और सटीक रूप से मॉडल किया जा सके जो प्रत्यक्ष आणविक गतिकी (मॉलिक्यूलर डायनेमिक्स) युग्मन के लिए पहले अप्राप्य थे।