First-principles study of the impact of As doping on the structural and electronic properties of MoS monolayer
यह प्रथम-सिद्धांत (first-principles) DFT अध्ययन यह प्रकट करता है कि MoS मोनोलेयर्स में आर्सेनिक डोपिंग और रिक्ति दोष (vacancy defects), फर्मी स्तर को स्थानांतरित करके विशिष्ट -प्रकार या -प्रकार के व्यवहार को प्रेरित करते हैं, जो फोटोकैटलिसिस, फोटोवोल्टिक्स और फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के अनुप्रयोगों के लिए उनकी क्षमता का सुझाव देते हैं।