Intrinsic Even-Odd Thickness-Driven Anomalous Hall in Epitaxial MnBi2Te4 Thin Films
MnBi2Te4 पतली फिल्मों के सटीक आणविक किरण एपिटैक्सी संश्लेषण के माध्यम से, शोधकर्ताओं ने प्रदर्शित किया कि परत की मोटाई को नियंत्रित करना असामान्य हॉल प्रभाव (anomalous Hall effect) में एक विशिष्ट सम-विषम निर्भरता उत्पन्न करता है, जहाँ विषम परतें सुदृढ़ गैर-प्रतिपूरक प्रति-चुंबकत्व (non-compensated antiferromagnetism) प्रदर्शित करती हैं और सम परतें न्यूनतम प्रतिक्रिया दिखाती हैं, जो शून्य-क्षेत्र क्वांटम असामान्य हॉल प्रभाव को साकार करने की दिशा में एक मार्ग प्रदान करता है।