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🔬 materials science

Melting of thin silicon films: a molecular dynamics study with two machine learning potentials

यह आणविक गतिशीलता अध्ययन SNAP और GAP मशीन लर्निंग पोटेंशियल का उपयोग करके सिलिकीन और पतली सिलिकॉन फिल्मों की तापीय स्थिरता की तुलना करता है, जिससे यह पता चलता है कि जबकि SNAP बल्क सीमा तक मोटाई-निर्भर पिघलने के व्यवहार को सटीक रूप से मॉडल करता है, GAP गैस चरण का वर्णन करने में विफल रहता है, जिसके कारण सिलिकीन क्लस्टरों में विघटित हो जाता है।

Yu. D. Fomin, E. N. Tsiok, V. N. Ryzhov2026-03-13
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Theoretical proposal of superconductivity in hole-doped reduced bilayer nickelate La3Ni2O6: a manifestation of orbital-space bilayer model with incipient bands

यह शोध पत्र सैद्धांतिक रूप से प्रस्तावित करता है कि होल-डोप्ड रिड्यूस्ड बाइलेयर निकलेट La3Ni2O6\text{La}_3\text{Ni}_2\text{O}_6, एक ऑर्बिटल-स्पेस बाइलेयर मॉडल के भीतर इंटरऑर्बिटल इंटरैक्शन द्वारा संचालित s±s\pm-वेव सुपरकंडक्टिविटी प्रदर्शित कर सकता है, जहाँ एपिकल ऑक्सीजन की अनुपस्थिति बाइलेयर सिस्टम में इंटरलेयर होपिंग के अनुरूप एक बड़ा ऑर्बिटल एनर्जी ऑफसेट उत्पन्न करती है।

Shu Kamiyama, Reo Kohno, Yuto Hoshi, Kensei Ushio, Daiki Nakaoka, Hirofumi Sakakibara, Kazuhiko Kuroki2026-03-13
🔬 materials science

Phase Separation in Heritage Objects Made of Plasticised PVC: the Case of Joseph Beuys Multiples

यह अध्ययन जोसेफ ब्यूयस की प्लास्टिकयुक्त पीवीसी (PVC) कलाकृतियों में उन्नत क्षरण और प्लास्टिसाइज़र के उत्सर्जन की जांच करने के लिए बहु-विश्लेषणात्मक तकनीकों को डीएफटी (DFT) सिमुलेशन के साथ जोड़ता है ताकि चरण पृथक्करण (phase separation) के ऊष्मागतिक तंत्रों को स्पष्ट किया जा सके और गैर-विनाशकारी निवारक संरक्षण उपकरण विकसित करने के लिए एनएमआर (NMR) स्पेक्ट्रोस्कोपी की प्रभावकारिता को प्रदर्शित किया जा सके।

Marwa Saad, Sonia Bujok, Aurora Cairoli, Karol Górecki, Marek Bucki, Dorota Duraczyńska, Dominika Pawcenis, Dominika Ani (…)2026-03-13
🔬 materials science

Cold source field-effect transistor with type-III band-aligned HfS2_2/WTe2_2 heterostructure

यह शोधपत्र एक नवीन कोल्ड सोर्स फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (CSFET) का प्रस्ताव करता है जो शॉटकी बैरियर्स को समाप्त करने के लिए एक टाइप-III संरेखित 2D WTe2_2/HfS2_2 हेटरोस्ट्रक्चर का उपयोग करता है, जो प्रथम-सिद्धांत क्वांटम ट्रांसपोर्ट मॉडलिंग के माध्यम से ∼\sim1010^{10} का उच्च ऑन/ऑफ अनुपात और 41.3 mV/dec का सब-थर्मल सबथ्रेशोल्ड स्विंग प्राप्त करता है।

Shujin Guo, Qing Shi, Deping Guo, Fei Liu, Xianghua Kong, Yonghong Zhao, Hong Guo2026-03-13
🔬 materials science

A Decade of Generative Adversarial Networks for Porous Material Reconstruction

यह समीक्षा 2017 से लेकर 2026 की शुरुआत तक के 96 सहकर्मी-समीक्षित (peer-reviewed) लेखों का व्यवस्थित रूप से विश्लेषण करती है ताकि छिद्रयुक्त सामग्री पुनर्निर्माण (porous material reconstruction) के लिए जेनरेटिव एडवरसेरियल नेटवर्क आर्किटेक्चर को वर्गीकृत किया जा सके, जो सटीकता और पैमाने में महत्वपूर्ण प्रगति को उजागर करते हुए कम्प्यूटेशनल दक्षता और संरचनात्मक निरंतरता में बनी रहने वाली चुनौतियों की पहचान करती है।

Ali Sadeghkhani, Brandon Bennett, Masoud Babaei, Arash Rabbani2026-03-13
🔬 materials science

Emergence of polar monoclinic phase in heterohalogen substituted CsGeX3_3

प्रथम-सिद्धांतों (First-principles) के अध्ययन प्रकट करते हैं कि CsGeX3_3 में हेटरोहैलोजन प्रतिस्थापन (heterohalogen substitution) एक कमरे के तापमान वाले ध्रुवीय मोनोक्लिनिक चरण को प्रेरित करता है, जिसमें बढ़ी हुई ध्रुवणता और महत्वपूर्ण राशबा स्पिन-विभाजन (Rashba spin-splitting) होता है, जो इन सामग्रियों को दत्ता-दास स्पिन ट्रांजिस्टर के लिए आशाजनक उम्मीदवार बनाता है।

Sourabh Vairat, Balachandra G. Hegde, Brajesh Tiwari, Ravi Kashikar2026-03-13
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Symmetry-Driven Floquet Engineering in Multivalley SnS

यह अध्ययन यह प्रदर्शित करता है कि एक समय-आवर्ती विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र के ध्रुवीकरण को बल्क टिन सल्फाइड (SnS) के क्रिस्टल अक्षों के साथ संरेखित करके, शोधकर्ता समरूपता-संचालित फोटोइमिशन चयन नियमों के माध्यम से पैरिटी (parity) को नियत रूप से नियंत्रित कर सकते हैं और फ्लोकेट-ब्लॉक अवस्थाओं के चयनात्मक बैंड पुनर्सामान्यीकरण (band renormalization) को प्राप्त कर सकते हैं।

Sotirios Fragkos, Benshu Fan, Umberto De Giovannini, Dominique Descamps, Stéphane Petit, Hannes Hübener, Angel Rubio, Sa (…)2026-03-13
🔬 materials science

RASP: Reliability ab initio simulation package of MOSFETs based on all-state model

यह शोध पत्र RASP को प्रस्तुत करता है, जो एक ab initio सिमुलेशन पैकेज है और जो एमोर्फस गेट डाइइलेक्ट्रिक्स में सभी संभावित दोष विन्यासों (defect configurations) और संक्रमण पथों (transition pathways) को व्यवस्थित रूप से ध्यान में रखते हुए, स्केल्ड MOSFETs में दोष-प्रेरित विश्वसनीयता गिरावट की सटीक भविष्यवाणी करने के लिए एक ऑल-स्टेट मॉडल का उपयोग करता है।

Xinjing Guo, Menglin Huang, Shiyou Chen2026-03-13
🔬 materials science

Irradiation-induced amplification of electric fields at oxide interfaces as revealed by correlative DPC-STEM and DFT

यह अध्ययन संयुक्त DFT मॉडलिंग और सहसंबंधी DPC-STEM/EELS प्रयोगों के माध्यम से यह प्रदर्शित करता है कि विकिरण-प्रेरित दोष Fe2O3-Cr2O3 ऑक्साइड हेटरोस्ट्रक्चर में इंटरफेशियल विद्युत क्षेत्रों को महत्वपूर्ण रूप से संशोधित और यहाँ तक कि उलट सकते हैं, जो दोषों के स्थानिक वितरण को नियंत्रित करके चरम वातावरण के लिए संक्षारण-प्रतिरोधी सामग्रियों को इंजीनियर करने का एक मार्ग प्रदान करता है।

Elizabeth A. Peterson, Dongye Liu, Sean H. Mills, Tiffany C. Kaspar, Hyosim Kim, Yongqiang Wang, Blas P. Uberuaga, Andre (…)2026-03-13
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Raman relaxation in Yb(III) molecular qubits: non-trivial correlations between spin-phonon coupling and molecular structure

यह अध्ययन यह प्रकट करने के लिए 'एब इनिटियो' (ab initio) गणनाओं का उपयोग करता है कि Yb(III) आणविक क्वबिट्स में स्पिन-फोनन रिलैक्सेशन गैर-तुच्छ, विस्थानीकृत फोनन अंतःक्रियाओं द्वारा नियंत्रित होता है जो सरल मैग्नेटो-स्ट्रक्चरल सहसंबंधों को चुनौती देते हैं, जिससे भविष्य के रासायनिक डिजाइन का मार्गदर्शन करने के लिए भविष्य कहनेवाला प्रथम-सिद्धांत ढांचे (predictive first-principles frameworks) का समर्थन मिलता है।

Giacomo Sansone, Lorenzo A. Mariano, Stefano Carretta, Paolo Santini, Alessandro Lunghi2026-03-13