Fast Interlayer Energy Transfer from the Lower Bandgap MoS2 to the Higher Bandgap WS2
यह अध्ययन 300 K पर निम्न-बैंडगैप वाले MoS2 से उच्च-बैंडगैप वाले WS2 में एक अत्यंत तीव्र (~33 fs) इंटरलेयर ऊर्जा स्थानांतरण की रिपोर्ट करता है, जो MoS2 B और WS2 A एक्सिटोनिक स्तरों के बीच एक अनुनादी ओवरलैप (resonant overlap) द्वारा संचालित है, जो पारंपरिक डोनर-टू-एक्सेप्टर बैंडगैप प्रतिमान को चुनौती देता है और एक्सिटोनिक इंटरवैली स्कैटरिंग से भी तेज़ प्रक्रिया को प्रकट करता है।