Confinement Epitaxy of Large-Area Two-Dimensional Sn at the Graphene/SiC Interface
यह अध्ययन ग्राफीन/SiC इंटरफेस पर द्वि-आयामी टिन के इंटरकैलेशन के माध्यम से बड़े-क्षेत्रीय, उच्च-गुणवत्ता वाले अर्ध-स्वतंत्र (quasi-free-standing) मोनोलेयर ग्राफीन के संश्लेषण को प्रदर्शित करता है, जो एक विसरण-संचालित विकास तंत्र और गतिशील संरचनात्मक युग्मन को प्रकट करता है जो अगली पीढ़ी की क्वांटम सामग्रियों के लिए ट्यूनेबल स्ट्रेन इंजीनियरिंग को सक्षम बनाता है।