cond-mat.mtrl-sci पेपर

Disorder-induced symmetry breaking in moiré bands of marginally twisted bilayer MoS $_2$

स्कैनिंग टनलिंग स्पेक्ट्रोस्कोपी और निरंतर मॉडल गणनाओं (continuum model calculations) का उपयोग करते हुए, यह अध्ययन प्रकट करता है कि मार्जिनली ट्विस्टेड द्विपरत MoS $_2$ में समरूपता को तोड़ने और इलेक्ट्रॉनिक संरचना को आकार देने में इलेक्ट्रोस्टैटिक विकार और संरचनात्मक विश्राम (structural relaxation) महत्वपूर्ण हैं, जो स्टैकिंग क्षेत्रों के बीच अप्रत्याशित ऊर्जा अंतर की व्याख्या करते हैं।

Pablo Reséndiz-Vázquez, Christophe de Beule, Thi-Hai-Yen Vu, Kaijian Xing, Daniel McEwen, Daniel Bennett, Liangtao Peng (…)2026-02-09

🔬 materials science

Structural Distortions and Ferroelectricity in Antiperovskite Oxides with Tetrel Elements

यह अध्ययन टेट्रेल और क्षारीय मृदा तत्वों वाले एंटीपेरोव्स्काइट ऑक्साइड की क्रिस्टल संरचनाओं का विश्लेषण करने के लिए प्रथम-सिद्धांत घनत्व कार्यात्मक सिद्धांत (फर्स्ट-प्रिंसिपल्स डेंसिटी फंक्शनल थ्योरी) का उपयोग करता है, जो यह प्रदर्शित करता है कि टॉलरेंस कारक उनकी संरचनाओं की भविष्यवाणी कैसे करते हैं और कैसे धनायन क्रमबद्धता (केशन ऑर्डरिंग) फेरोइलेक्ट्रिसिटी को प्रेरित कर सकती है, साथ ही महत्वपूर्ण एंटीबॉन्डिंग इंटरैक्शन द्वारा संचालित अद्वितीय इलेक्ट्रॉनिक प्रवृत्तियों को भी प्रकट करता है।

He Zhu, Turan Birol2026-02-09

🔬 applied physics

Shallow Trap States Control Electrical Performance of Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors

यह अध्ययन अल्ट्राब्रॉडबैंड फोटोकंडक्शन माइक्रोस्कोपी और सिमुलेशन का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि उथले ट्रैप स्टेट्स, विशेष रूप से कंडक्शन बैंड से ~0.32 eV नीचे स्थित Ga-Ga-In ऑक्सीजन वैकेंसी डिफेक्ट्स, अमोर्फस InGaZnO थिन-फिल्म ट्रांजिस्टर के इलेक्ट्रिकल प्रदर्शन को कठोरता से नियंत्रित करते हैं, जिससे डिफेक्ट डेंसिटी माप से ट्रांसफर विशेषताओं का सटीक पूर्वानुमान संभव हो पाता है।

Måns J. Mattsson, Jinhan Lee, Christopher E. Malmberg, Jared Parker, Kyle T. Vogt, Hyemi Kim, Minji Hong, Pilsang Yun, D (…)2026-02-09

🔬 materials science

Epitaxial growth and magneto-transport properties of kagome metal FeGe thin films

यह शोध पत्र Al2O3 सबस्ट्रेट्स पर उच्च-गुणवत्ता वाले एकल-चरण (single-phase) FeGe पतली फिल्मों के पहले सफल एपिटैक्सियल विकास की रिपोर्ट करता है, जो 397 K का नेल तापमान (Néel temperature) और 100 K के पास परिवहन विसंगतियाँ (transport anomalies) प्रदर्शित करते हैं जो संभावित रूप से चार्ज डेंसिटी वेव्स (CDW) से जुड़ी हैं, जिससे CDW तंत्रों की जांच और एंटीफेरोमैग्नेटिक स्पिनट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों के लिए एक बहुमुखी मंच स्थापित होता है।

Xiaoyue Song, Yanshen Chen, Yongcheng Deng, Tongao Sun, Fei Wang, Guodong Wei, Xionghua Liu, Kaiyou Wang2026-02-09

🔬 materials science

Microscopic Origin of the Ultralow Lattice Thermal Conductivity in Vacancy-Ordered Halide Double Perovskites Cs $_2BX_6$ ( $B$ = Zr, Pd, Sn, Te, Hf, and Pt; $X$ = Cl, Br, and I)

यह अध्ययन प्रथम-सिद्धांत गणनाओं (first-principles calculations) और मशीन लर्निंग का उपयोग करके यह प्रकट करता है कि वैकेंसी-ऑर्डर्ड (vacancy-ordered) Cs $_2$ BX $_6$ डबल पेरोव्स्काइट्स में अत्यंत निम्न जालक तापीय चालकता (ultralow lattice thermal conductivity) मुख्य रूप से कम ध्वनि वेग (low sound velocities) की ओर ले जाने वाले आंतरिक रूप से कमजोर रासायनिक बंधन के कारण उत्पन्न होती है, न कि उनके संरचनात्मक रिक्त स्थानों (structural voids) से जुड़े रैटलिंग फोन मोड (rattling phonon modes) के कारण।

Lingzhi Cao, Yateng Wang, Zhonghao Xia, Jiangang He2026-02-09

🔬 mesoscale physics

Chirality Driven Ratchet Currents in Two-Dimensional Tellurene with an Asymmetric Grating

यह शोध पत्र टू-डायमेंशनल टेल्यूरीन (tellurene) में एक कमरे के तापमान वाले, हेलिसिटी-निर्भर सर्कुलर रैचेट प्रभाव को प्रदर्शित और सैद्धांतिक रूप से स्पष्ट करता है, जहाँ इसकी परमाणु श्रृंखलाओं की अंतर्निहित काइरैलिटी (chirality) टेराहर्ट्ज़ विकिरण को एक दिष्ट धारा (direct current) में सुधारने में सक्षम बनाती है जिसे प्रकाश की हेलिसिटी बदलकर उलटा जा सकता है।

M. D. Moldavskaya, L. E. Golub, Chang Niu, Peide D. Ye, S. D. Ganichev2026-02-09

🔬 materials science

Physical properties of RhGe and CoGe single crystals synthesized under high pressure

यह अध्ययन उच्च-गुणवत्ता वाले RhGe और CoGe B20 एकल क्रिस्टल के विस्तृत भौतिक गुणों की रिपोर्ट करता है, जो उनके धात्विक, अनुचुंबकीय और दुर्बल सहसंबद्ध अर्धधातु स्वभाव को प्रकट करते हुए काइरल टोपोलॉजिकल अर्धधातुओं में मल्टीफोल्ड फर्मियन्स और हेलिकॉइड-आर्क सतह अवस्थाओं के अन्वेषण के लिए एक मंच स्थापित करते हैं।

Shangjie Tian, Xiangjiang Dong, Bowen Zhang, Zhijun Tu, Runze Yu, Hechang Lei, Shouguo Wang2026-02-09

🔬 materials science

In-depth study of spectroscopic properties of new $Pr^{3+}$ -ion doped low-phonon sesquisulfide $Lu_2S_3$ material for mid-IR laser sources

यह शोध पत्र एक नए $Pr^{3+}$ -डोप्ड $Lu_2S_3$ सेसक्विसल्फाइड एकल क्रिस्टल के स्पेक्ट्रोस्कोपिक गुणों की जांच करता है, जो 0.49 से 5.5 $\mu$ m की सीमा में 26 ल्यूमिनेसेंस ट्रांज़िशन की पहचान करता है और सैद्धांतिक गणनाओं के माध्यम से उनके असाइनमेंट की पुष्टि करता है, जिससे इस सामग्री को ब्रॉड मिड-आईआर लेजर अनुप्रयोगों के लिए एक आशाजनक लो-फोनोन होस्ट के रूप में स्थापित किया गया है।

Martin Fibrich, Jan Sulc, Lubomír Havlak, Vítezslav Jarý, Robert Kral, Vojtech Vanecek, David Vyhlidal, Helena Jelinkova (…)2026-02-09

🔬 materials science

Bridgman method grown $Cs_2Li_3I_5$ : an inter-alkali metal scintillator with high lithium content

यह अध्ययन लघुकृत वर्टिकल ब्रिजमैन विधि के माध्यम से अनडोपड (undoped) और Tl/In-डोपड $Cs_2Li_3I_5$ बल्क क्रिस्टल के सफल विकास की रिपोर्ट करता है, जो उनकी संरचनात्मक समरूपता, संयुग्मी पिघलने के व्यवहार और संवर्धित ल्यूमिनेसेंस गुणों को लक्षित करता है जो उनके डोप्ड सीज़ियम आयोडाइड समकक्षों के समान हैं।

Katerina Krehlikova, Vojtech Vanecek, Robert Kral, Romana Kucerkova, Petra Zemenova, Jan Rohlıcek, Petr Prusa, Katerina (…)2026-02-09

🔬 materials science

Investigation of the Electronic Structure and Spin-State Crossover in LaCoO3 Using Photoemission Spectroscopy

यह अध्ययन यह प्रदर्शित करने के लिए बहु-आयामी फोटोइमिशन स्पेक्ट्रोस्कोपी और कॉन्फ़िगरेशन-इंटरेक्शन विश्लेषण का उपयोग करता है कि $\text{LaCoO}_3$ एक मुख्य रूप से लो-स्पिन ग्राउंड स्टेट से मिश्रित लो-स्पिन/हाई-स्पिन विन्यास की ओर तापीय रूप से संचालित स्पिन-स्टेट क्रॉसओवर से गुजरता है, जिसमें $\text{Co 2p}$ फोटोइमिशन को इस संक्रमण को ट्रैक करने के लिए एक संवेदनशील मात्रात्मक प्रोब के रूप में पहचाना गया है।

Sayari Ghatak, Abhishek Das, Andrei Gloskovskii, Dinesh Topwal2026-02-09

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cond-mat.mtrl-sci

Disorder-induced symmetry breaking in moiré bands of marginally twisted bilayer MoS2_22​

Structural Distortions and Ferroelectricity in Antiperovskite Oxides with Tetrel Elements

Shallow Trap States Control Electrical Performance of Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors

Epitaxial growth and magneto-transport properties of kagome metal FeGe thin films

Microscopic Origin of the Ultralow Lattice Thermal Conductivity in Vacancy-Ordered Halide Double Perovskites Cs2BX6_2BX_62​BX6​ (BBB = Zr, Pd, Sn, Te, Hf, and Pt; XXX= Cl, Br, and I)

Chirality Driven Ratchet Currents in Two-Dimensional Tellurene with an Asymmetric Grating

Physical properties of RhGe and CoGe single crystals synthesized under high pressure

In-depth study of spectroscopic properties of new Pr3+Pr^{3+}Pr3+-ion doped low-phonon sesquisulfide Lu2S3Lu_2S_3Lu2​S3​ material for mid-IR laser sources

Bridgman method grown Cs2Li3I5Cs_2Li_3I_5Cs2​Li3​I5​: an inter-alkali metal scintillator with high lithium content

Investigation of the Electronic Structure and Spin-State Crossover in LaCoO3 Using Photoemission Spectroscopy

Disorder-induced symmetry breaking in moiré bands of marginally twisted bilayer MoS $_2$

Microscopic Origin of the Ultralow Lattice Thermal Conductivity in Vacancy-Ordered Halide Double Perovskites Cs $_2BX_6$ ( $B$ = Zr, Pd, Sn, Te, Hf, and Pt; $X$ = Cl, Br, and I)

In-depth study of spectroscopic properties of new $Pr^{3+}$ -ion doped low-phonon sesquisulfide $Lu_2S_3$ material for mid-IR laser sources

Bridgman method grown $Cs_2Li_3I_5$ : an inter-alkali metal scintillator with high lithium content