cond-mat.mtrl-sci
3420 पेपर
First-principles study of photovoltaic and thermoelectric properties of AgBiSCl2
यह प्रथम-सिद्धांत (first-principles) अध्ययन प्रकट करता है कि हाइब्रिड एनियन सेमीकंडक्टर AgBiSCl2 में आशाजनक दोहरी फोटोवोल्टिक और थर्मोइलेक्ट्रिक क्षमता प्रदर्शित होती है, जो इसके अद्वितीय बॉन्डिंग गुणों द्वारा संचालित है जो कम जालक तापीय चालकता (lattice thermal conductivity) और अनुकूल इलेक्ट्रॉनिक परिवहन गुणों को प्रेरित करते हैं, विशेष रूप से उच्च तापमान पर p-प्रकार के अनुप्रयोगों के लिए।
The thermodynamics of CaSiO3 in Earth's lower mantle
स्टोकेस्टिक सेल्फ-कंसिस्टेंट हार्मोनिक एप्रोक्सिमेशन और विग्नर फॉर्मलिज्म के साथ प्रथम-सिद्धांत सिमुलेशन का उपयोग करते हुए, यह अध्ययन स्थापित करता है कि क्यूबिक CaSiO3 पृथ्वी के निचले मेंटल में स्थिर चरण है, जो एक रैखिक प्रथम-क्रम चरण सीमा, अष्टफलकीय घूर्णनों के प्रति ट्रांसवर्स साउंड वेलोसिटी की कम संवेदनशीलता, और तीव्र आयनिक एनहार्मोनिसिटी के बावजूद मुख्य रूप से पार्टिकल-लाइक लैटिस थर्मल कंडक्टिविटी द्वारा अभिलक्षित है।
Purely Electronic Chirality without Structural Chirality
यह शोध पत्र शुद्ध इलेक्ट्रॉनिक काइरैलिटी (PEC) की अवधारणा प्रस्तुत करता है, जो यह प्रदर्शित करता है कि एक विकृत कैगोमे जाली (kagome lattice) पर इलेक्ट्रॉनिक क्वाड्रुपोल क्रम, संरचनात्मक काइरैलिटी की अनुपस्थिति में भी, चुंबकीय-क्षेत्र द्वारा ट्यून करने योग्य हस्तता (handedness) और काइरल गुण उत्पन्न कर सकते हैं, जैसा कि URhSn के गैर-चुंबकीय क्रमबद्ध चरण द्वारा उदाहरण स्वरूप दर्शाया गया है।
Phonon selection and interference in momentum-resolved electron energy loss spectroscopy
यह शोध पत्र "इंटरफेरोमेट्रिक ब्रिलुइन ज़ोन" की अवधारणा और मोमेंटम-रिजॉल्व्ड इलेक्ट्रॉन एनर्जी लॉस स्पेक्ट्रोस्कोपी (q-EELS) में फोन चयन नियमों (phonon selection rules) और हस्तक्षेप प्रभावों (interference effects) की व्याख्या करने के लिए एक नए गणितीय औपचारिक ढांचे को प्रस्तुत करता है, जो यह प्रदर्शित करता है कि कैसे ये सिद्धांत ध्रुवीकरण-चयनात्मक कंपन विश्लेषण (polarization-selective vibrational analysis) को सक्षम करते हैं और विभिन्न तरंग घटनाओं पर लागू होते हैं।
Indium selenides for next-generation low-power computing devices
यह परिप्रेक्ष्य पत्र अगली पीढ़ी की कम-शक्ति वाली कंप्यूटिंग में सिलिकॉन की भौतिक सीमाओं को पार करने के लिए वैन डेर वाल्स इंडियम सेलेनाइड्स (InSe और In2Se3) की क्षमता का मूल्यांकन करता है, जो उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता, ट्यूनेबल बैंडगैप और उच्च-प्रदर्शन वाले लॉजिक एवं नॉन-वोलेटाइल मेमोरी अनुप्रयोगों के लिए उनके अद्वितीय फेरोइलेक्ट्रिक गुणों का लाभ उठाते हैं, साथ ही प्रमुख चुनौतियों और उनके व्यावसायिक कार्यान्वयन के लिए एक रोडमैप को रेखांकित करता है।
Visualization of defect-induced interband proximity effect at the nanoscale
क्लीन-लिमिट लेड (lead) पर मिलीकेल्विन स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोपी का उपयोग करते हुए, यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि कैसे क्रिस्टलोग्राफिक दोष स्थानीय रूप से इंटरबैंड कपलिंग को ट्यून करके सुपरकंडक्टिंग ऑर्डर पैरामीटर को दो अलग-अलग गैप्स से एक एकल मर्ज किए गए गैप में बदल सकते हैं, जिससे मल्टीबैंड सुपरकंडक्टर्स में दोष-प्रेरित इंटरबैंड प्रॉक्सिमिटी प्रभावों को विज़ुअलाइज़ और नियंत्रित करने के लिए एक सीधा प्रयोगात्मक मार्ग प्राप्त होता है।
XtalOpt Version 14: Variable-Composition Crystal Structure Search for Functional Materials Through Pareto Optimization
यह शोध पत्र XtalOpt संस्करण 14 प्रस्तुत करता है, जो एक उन्नत विकासवादी बहु-उद्देश्यीय एल्गोरिदम है जो पारेटो अनुकूलन (Pareto optimization) का उपयोग करता है और कार्यात्मक सामग्रियों के लिए परिवर्तनशील संरचनाओं वाले ग्राउंड-स्टेट क्रिस्टल संरचनाओं की कुशलतापूर्वक भविष्यवाणी करने के लिए विभिन्न कम्प्यूटेशनल क्षमताओं को एकीकृत करता है।
Ferroelectric switching of interfacial dipoles in -RuCl/graphene heterostructure
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि ग्राफीन/पतली hBN/-RuCl हेट्रोस्ट्रक्चर विद्युत रूप से नियंत्रणीय इंटरफेशियल चार्ज ट्रांसफर द्वारा संचालित मजबूत, नॉन-वोलेटाइल फेरोइलेक्ट्रिक-समान स्विचिंग प्रदर्शित करते हैं, जो एक ऐसा तंत्र है जिसे इलेक्ट्रोस्टैटिक और चुंबकीय क्षेत्रों या संरचनात्मक समरूपता भंग (structural symmetry breaking) से स्वतंत्र होने के रूप में पुष्ट किया गया है।
Interplay of vibrational, electronic, and magnetic states in CrSBr
यह अध्ययन मल्टी-मोडल स्पेक्ट्रोस्कोपी का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि वैन डेर वाल्स एंटीफेरोमैग्नेट CrSBr में कंपन (vibrational), इलेक्ट्रॉनिक और चुंबकीय स्वतंत्रता स्तर (degrees of freedom) दृढ़ता से जुड़े हुए हैं, जो यह प्रकट करता है कि कैसे विशिष्ट रमन मोड (Raman modes) एक्सिटोनिक अवस्थाओं और नील तापमान (Néel temperature) के पार स्पिन संरेखण के साथ अंतःक्रिया करते हैं ताकि इस सामग्री को क्वांटम अनुप्रयोगों के लिए एक बहुमुखी मंच के रूप में स्थापित किया जा सके।