Resistive-Switching Dynamics in Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) Thin Films under Perforated Bottom Electrode
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि एक छिद्रित निचला इलेक्ट्रोड धातु फिलामेंट निर्माण को सुगम बनाने के लिए विद्युत क्षेत्रों को केंद्रित करके P3HT पतली फिल्मों में रेसिस्टिव स्विचिंग को बढ़ाता है, जो देखे गए स्विचिंग व्यवहारों के लिए मौलिक तंत्र के रूप में कार्य करता है।