Energy-Efficient Non-Volatile Photonic Switching via Composition-Engineered Sn-Doped GST
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि GeSbTe में 5–10 at.% टिन मिलाने से गैर-अस्थिर फोटोनिक स्विचिंग के लिए आवश्यक अमोर्फाइजेशन और क्रिस्टलीकरण ऊर्जा में महत्वपूर्ण कमी आती है, जबकि CMOS अनुकूलता और स्विचिंग गति को बनाए रखा जाता है, हालांकि उच्च सांद्रता चरण पृथक्करण (phase segregation) को प्रेरित करती है और चक्रण (cycling) से सामग्री का प्रवास होता है जो प्रदर्शन को खराब करता है।