🔬 materials science
No band gap, no problem: Defects in InAs using a band-avoiding occupation-constrained density functional theory
यह शोधपत्र एक बैंड-अवतल अधिभोग-प्रतिबंधित घनत्व कार्यात्मक सिद्धांत (band-avoiding occupation-constrained density functional theory - ba-occ-DFT) विधि प्रस्तुत करता है जो इंडियम आर्सेनाइड (InAs) जैसे संकीर्ण-अंतराल वाले अर्धचालकों में शून्य बैंड अंतराल की समस्या को दूर करता है, जिससे मानक DFT द्वारा प्रयोगात्मक बैंड अंतराल को पुनरुत्पादित करने में विफल होने के बावजूद परमाणु दोष स्तरों की सटीक भविष्यवाणियां करना सक्षम होता है।