cond-mat.mtrl-sci पेपर

Scalable and deterministic construction of moiré superlattice in 2D materials using stressor films

यह शोध पत्र पैटर्न वाले थिन-फिल्म स्ट्रेसर्स का उपयोग करके नियंत्रित हेटरोस्ट्रेन (heterostrain) उत्पन्न करने के माध्यम से, विशिष्ट जाली विरूपण (lattice deformations) और इन-प्लेन ध्रुवीकरण (in-plane polarization) की इंजीनियरिंग को सक्षम करते हुए, 2D सामग्रियों में मोइरे सुपरलैटिस (moiré superlattices) के निर्माण के लिए एक स्केलेबल और नियतात्मक विधि प्रदर्शित करता है।

Yu-Mi Wu, Sihun Lee, Yufeng Xi, Stephen D. Funni, Saif Siddique, Natalie L. Williams, Giovanni Sartorello, Hesam Askari (…)2026-06-10

🔬 mesoscale physics

Spin current symmetries generated by GdFeCo ferrimagnet across its magnetisation compensation temperature

यह अध्ययन चुंबकत्व क्षतिपूर्ति तापमान (magnetisation compensation temperature) के पार GdFeCo फेरिमैग्नेट्स में स्पिन करंट समरूपताओं की जांच करता है, जो यह प्रकट करता है कि स्पिन हॉल और स्पिन अनोमलस हॉल प्रभाव टॉर्क क्रमशः Gd 5d और FeCo 3d इलेक्ट्रॉनिक उपप्रणालियों में विशिष्ट उत्पत्ति के कारण अपने चिन्हों को बनाए रखते हैं।

Héloïse Damas, Michel Hehn, Juan-Carlos Rojás-Sanchez, Sébastien Petit-Watelot2026-06-10

🔬 materials science

First-principles band alignment engineering in polar and nonpolar orientations for wurtzite AlN, GaN, and B $_x$ Al $_{1-x}$ N alloys

यह अध्ययन वर्टज़ाइट B $_x$ Al $_{1-x}$ N मिश्र धातुओं के ध्रुवीय (polar) और गैर-ध्रुवीय (nonpolar) बैंड संरेखण (band alignments) को निर्धारित करने और उनका विश्लेषण करने के लिए उन्नत कम्प्यूटेशनल विधियों का उपयोग करता है, जो संरचना-निर्भर प्रकार I या II संरेखण और सतह ध्रुवीयता प्रभावों को प्रकट करता है जो उच्च-इलेक्ट्रॉन-गतिशीलता वाले ट्रांजिस्टर (high-electron-mobility transistors) और पराबैंगनी ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए महत्वपूर्ण डिजाइन दिशानिर्देश प्रदान करते हैं।

Cody L Milne, Arunima K Singh2026-06-10

🔬 materials science

Fracture initiation in silicate glasses via a universal shear localization mechanism

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि सिलिकेट ग्लास में फ्रैक्चर की शुरुआत एक सार्वभौमिक शियर लोकलाइजेशन (shear localization) तंत्र द्वारा नियंत्रित होती है, जो वॉल्यूमेट्रिक डेंसिफिकेशन (volumetric densification) पर जोर देने वाले पारंपरिक दृष्टिकोण को चुनौती देता है और इन सामग्रियों को बल्क मेटालिक ग्लास और अमोर्फस पॉलिमर के विदर व्यवहार (rupture behavior) के साथ संरेखित करता है।

Matthieu Bourguignon, Gustavo Alberto Rosales-Sosa, Yoshinari Kato, Bruno Bresson, Hikaru Ikeda, Shingo Nakane, Gergely (…)2026-06-10

🔬 mesoscale physics

Fabry-Perot Interference, g-factor Anisotropy, and Gate-Tunable Quantum dot in Chiral Tellurium Nanowires

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि हाइड्रोथर्मली विकसित काइरल टेल्यूरियम नैनोवायरज़ चरण-सुसंगत अर्ध-बैलिस्टिक परिवहन (phase-coherent quasi-ballistic transport), गेट-ट्यूनेबल क्वांटम डॉट निर्माण और अत्यधिक अनिसोट्रोपिक g-फैक्टर प्रदर्शित करते हैं, जो उन्हें स्पिन क्यूबिट्स और मेजरना ज़ीरो मोड अनुसंधान के लिए एक बहुमुखी मंच के रूप में स्थापित करते हैं।

Suresh Ghimire, Mohammad Hafijur Rahaman, Nathan Tanner Sawyers, Madan Mohan Bhandari, Gokul Acharya, Syed Zulfiqar Huss (…)2026-06-10

🔬 materials science

Synthesis and Characterization of Atomically-Sharp Superconductor-Dielectric Interface

यह शोध पत्र नियोबियम पर वायु-स्थिर, अत्यधिक क्रिस्टलीय ज़िरकोनियम ऑक्साइड परतों को उगाने की एक नई विधि प्रस्तुत करता है जो परमाणु रूप से तीक्ष्ण इंटरफेस (interfaces) बनाती हैं और ऑक्साइड के पुन: विकास को रोकती हैं, जिससे दो-स्तरीय प्रणाली (two-level system) दोषों को कम करने और सुपरकंडक्टिंग क्वांटम उपकरणों के सुसंगत समय (coherence times) में सुधार करने का एक आशाजनक मार्ग मिलता है।

Nathan Sitaraman, Zhaslan Baraissov, Alexis Grassl, Hongbin Yang, Daniel Tong, David Muller, Matthias Liepe2026-06-10

🔬 materials science

Graphlet Histogram Representation Database of Inorganic Crystals

यह शोध पत्र Graphlet-MP को प्रस्तुत करता है, जो एक व्यापक डेटाबेस और ओपन-सोर्स टूलकिट है जो 149,000 से अधिक अकार्बनिक क्रिस्टल के लिए व्याख्या योग्य, डेटा-कुशल ग्राफलेट हिस्टोग्राम प्रतिनिधित्व प्रदान करता है ताकि दुर्लभ प्रयोगात्मक डेटा के साथ भी सामग्री गुण भविष्यवाणी सक्षम की जा सके।

Aaditya Panigrahi, Yanjun Liu, Omri Lesser, Krishnanand Mallayya, Eun-Ah Kim2026-06-10

🔬 applied physics

Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells

यह अध्ययन 2D परिमित-तत्व इलेक्ट्रोथर्मल सिमुलेशन का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि जब धारा ऊपरी इलेक्ट्रोड से संकीर्ण निचले इलेक्ट्रोड की ओर प्रवाहित होती है, तो Ge $_2$ Sb $_2$ Te $_5$ मशरूम फेज़ चेंज मेमोरी सेल में थर्मोइलेक्ट्रिक प्रभाव और फिलामेंटरी ट्रांसपोर्ट रीसेट ऊर्जा और शक्ति को महत्वपूर्ण रूप से कम कर देते हैं, और साथ ही यह भी प्रकट करते हैं कि प्रोग्रामिंग वॉल्यूम 10 nm से ऊपर के संपर्क आयामों से स्वतंत्र है और बड़े संपर्क बेहतर विश्वसनीयता के लिए बढ़ी हुई परिवर्तनशीलता का व्यापार करते हैं।

Md Samzid Bin Hafiz, Helena Silva, Ali Gokirmak2026-06-10

🔬 condensed matter

Improved selector behavior in ultrathin chromium-doped V $_2$ O $_3$ films

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि अति-पतली (5 nm तक) क्रोमियम-डोपेड V $_2$ O $_3$ फिल्में बेहतर सेलेक्टर गुण प्रदर्शित करती हैं, जैसे कि कम लीकेज करंट और स्पष्ट संक्रमण, जो संभवतः एक इंटरफेशियल अमोर्फस परत और इलेक्ट्रोड से Ti प्रसार के कारण है जो क्रिस्टलीय और अमोर्फस चरणों के व्यवहार को समरूप बनाता है।

Johannes Mohr, Tyler Hennen, Yudi Wang, Xiaoyu Xu, Loc Vinh, Dirk J. Wouters, Rainer Waser, Joyeeta Nag, Daniel Bedau2026-06-10

🔬 mesoscale physics

Electrical Spectroscopy of Intervalley Relaxation in WSe $_2$ Transistors

यह शोधपत्र यह प्रदर्शित करता है कि मल्टीलेयर WSe $_2$ फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर का ट्रांसकंडक्टेंस इंटरवैली रिलैक्सेशन समय (intervalley relaxation times) को मापने के लिए एक प्रत्यक्ष इलेक्ट्रिकल स्पेक्ट्रोमीटर के रूप में कार्य कर सकता है, जो तीन विशिष्ट संकेतों—लोरेंत्ज़ियन फ्रीक्वेंसी रिस्पॉन्स, टू-स्टेज करंट ट्रांजिएंट्स, और स्वीप-रेट-प्रोपोर्शनल हिस्टेरेसिस—की पेशकश करता है, जो मानक इंस्ट्रूमेंटेशन का उपयोग करके इस पैरामीटर तक मात्रात्मक पहुँच प्रदान करते हैं।

Katsunori Wakabayashi2026-06-10

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Scalable and deterministic construction of moiré superlattice in 2D materials using stressor films

Spin current symmetries generated by GdFeCo ferrimagnet across its magnetisation compensation temperature

First-principles band alignment engineering in polar and nonpolar orientations for wurtzite AlN, GaN, and Bx_xx​Al1−x_{1-x}1−x​N alloys

Fracture initiation in silicate glasses via a universal shear localization mechanism

Fabry-Perot Interference, g-factor Anisotropy, and Gate-Tunable Quantum dot in Chiral Tellurium Nanowires

Synthesis and Characterization of Atomically-Sharp Superconductor-Dielectric Interface

Graphlet Histogram Representation Database of Inorganic Crystals

Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells

Improved selector behavior in ultrathin chromium-doped V2_22​O3_33​ films

Electrical Spectroscopy of Intervalley Relaxation in WSe2_22​ Transistors

First-principles band alignment engineering in polar and nonpolar orientations for wurtzite AlN, GaN, and B $_x$ Al $_{1-x}$ N alloys

Improved selector behavior in ultrathin chromium-doped V $_2$ O $_3$ films

Electrical Spectroscopy of Intervalley Relaxation in WSe $_2$ Transistors