Single-shot laser-pulse-induced magnetization reversal in CoFeB/MgO-based magnetic tunnel junctions
यह अध्ययन Ru कैपिंग लेयर की मोटाई को अनुकूलित करके दुर्लभ-तत्व-मुक्त (rare-earth-free) CoFeB/MgO मैग्नेटिक टनल जंक्शनों में सिंगल-शॉट लेजर-पल्स-प्रेरित चुंबकत्व उत्क्रमण (magnetization reversal) को प्रदर्शित करता है, जो अल्ट्राफास्ट ऑप्टिकल कंट्रोल को STT-MRAM तकनीक के साथ एकीकृत करने की दिशा में एक महत्वपूर्ण कदम है।