Design of An Energy Efficient Toggled MRAM Bit-Cell
यह शोध पत्र एक ऊर्जा-कुशल टॉगल किए गए एमआरएएम (MRAM) बिट-सेल के डिजाइन और माइक्रोमैग्नेटिक सिमुलेशन को प्रस्तुत करता है, जो शास्त्रीय मॉडलों की तुलना में बेहतर स्विचिंग विशेषताओं और कम त्रुटि दरों को प्राप्त करने के लिए वोल्टेज-नियंत्रित चुंबकीय अनिसोट्रॉपी (voltage-controlled magnetic anisotropy) और अनुकूलित सामग्री इंटरफेस का उपयोग करता है।