Fabrication and DC Characterization of BST-Gated AlGaN/GaN MOS-HEMT Structures in Two- and Three-Terminal Configurations
यह अध्ययन दो- और तीन-टर्मिनल कॉन्फ़िगरेशन में BST गेट डाइइलेक्ट्रिक्स के साथ और बिना माइक्रो-स्केल AlGaN/GaN MOS-HEMT उपकरणों का निर्माण और लक्षण वर्णन करता है, जिसमें 0.028 V के थ्रेशोल्ड वोल्टेज, लगभग 10⁻⁸ A की ऑन-करंट और 4.0×10⁻⁶ S के अधिकतम ट्रांसकंडक्टेंस जैसे प्रमुख DC प्रदर्शन मेट्रिक्स की रिपोर्ट की गई है।