K-shell ionization and characteristic x-ray radiation by high-energy electrons and positrons in oriented silicon crystals
यह शोध पत्र एक विस्तृत कंप्यूटर सिमुलेशन पद्धति प्रस्तुत करता है जिसका उपयोग उच्च ऊर्जा वाले इलेक्ट्रॉनों और पॉज़िट्रॉन के ओरिएंटेड सिलिकॉन क्रिस्टल से गुजरने पर, एक विस्तृत ऊर्जा सीमा (1–1000 GeV) में, K-शेल आयनीकरण और विशिष्ट एक्स-रे विकिरण के कोणीय वितरण के गैर-एकदिष्ट (non-monotonic) विकास की जांच करने के लिए किया गया है, जिसमें डीचैनलिंग जैसे अंतर्निहित भौतिक तंत्रों पर विशेष ध्यान दिया गया है।