High-magnitude, spatially and directionally programmable, and sustained strain engineering of 2D semiconductors
यह शोध पत्र टू-फोटॉन लिथोग्राफी-पैटर्न वाले सबस्ट्रेट्स पर कॉन्फॉर्मल ट्रांसफर का उपयोग करके एक नवीन स्ट्रेन इंजीनियरिंग तकनीक प्रस्तुत करता है, जो मोनोलेयर MoS2 और हेटरोस्ट्रक्चर में उच्च-परिमाण (>2%), स्थिर, और स्थानिक एवं दिशात्मक रूप से प्रोग्राम करने योग्य स्ट्रेन प्राप्त करने के लिए है, जो उन्नत ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक और नैनोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण स्थानीय बैंड गैप ट्यूनिंग को सक्षम बनाता है।