Electrostatic Charge Model for Dual-Layer Oxide Thin-Film Transistors
यह शोध पत्र आवेश वितरण का विश्लेषण करके और 9 से 12 एनएम के इष्टतम ऊपरी-परत की मोटाई की पहचान करके, ड्यूल-लेयर a-IGZO/a-IZO TFT संचालन का सटीक अनुकरण करने वाला एक सरल इलेक्ट्रोस्टैटिक टू-इक्वेशन मॉडल विकसित करता है, साथ ही अन्य ड्यूल-लेयर TFT प्रणालियों के लिए इस मॉडल की व्यापक प्रयोज्यता को भी प्रदर्शित करता है।