Resist-free shadow deposition using silicon trenches for Josephson junctions in superconducting qubits
यह शोध पत्र नक़्क़ाशीदार (etched) सिलिकॉन ट्रेंचों का उपयोग करके एक रेसिस्ट-मुक्त जोसेफसन जंक्शन निर्माण विधि प्रस्तुत करता है जो रासायनिक संदूषण को समाप्त करती है, 184 माइक्रोसेकंड तक का मध्यमान ऊर्जा विश्रांति समय (energy relaxation time) प्राप्त करती है, और सुपरकंडक्टिंग क्वबिट्स के लिए पारंपरिक पॉलीमर-मास्क्ड प्रक्रियाओं के मुकाबले एक CMOS-अनुकूल, स्केलेबल विकल्प प्रदान करती है।