Gate induced strain on a two-dimensional hole gas in silicon
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि एल्युमीनियम गेट की मोटाई बढ़ाने से सिलिकॉन टू-डायमेंशनल होल गैस में स्ट्रेन उत्पन्न होता है, जिससे एक दूसरी सबबैंड का उदय होता है और विशिष्ट साइक्लोट्रॉन द्रव्यमान (cyclotron masses) प्रकट होते हैं जो क्वांटम कन्फाइनमेंट, स्ट्रेन और बैंड मिक्सिंग के संयुक्त प्रभावों के कारण आदर्श हेवी-होल/लाइट-होल मॉडलों से विचलित होते हैं।