Measurements of absolute bandgap deformation-potentials of optically-bright bilayer WSe
यह अध्ययन नैनोकण-प्रेरित स्ट्रेन और फोटोल्यूमिनेसेंस मापन का उपयोग करके बाइलेयर WSe के इनडायरेक्ट और डायरेक्ट बैंडगैप के लिए एब्सोल्यूट बैंडगैप विरूपण विभव (deformation potentials) को प्रयोगात्मक रूप से निर्धारित करता है, जो यह प्रकट करता है कि न्यूनतम स्थानीयकृत स्ट्रेन इसकी ऑप्टिकल ब्राइटनेस को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ा सकता है और डायरेक्ट बैंडगैप रूपांतरण को सक्षम कर सकता है।