An ultra-wide-bandgap semiconductor photodetector for linear measurement of bright sub-bandgap light
यह शोध पत्र यह प्रदर्शित करता है कि उप-बैंडगैप (sub-bandgap) AlN फोटोडिटेक्टर्स, जिन्हें एक संकीर्ण स्पेस चार्ज क्षेत्र बनाने के लिए विशिष्ट डोपेंट डिजाइनों और संपर्क संरचनाओं के साथ इंजीनियर किया गया है, डीप-लेवल डिफेक्ट-मीडिएटेड फोटोरिस्पॉन्स का लाभ उठाकर अत्यधिक चमकीले नीले प्रकाश और उच्च तापमान के प्रति गैर-संतृप्ति (non-saturating), रैखिक प्रतिक्रिया प्राप्त करते हैं, जिससे चरम औद्योगिक और एयरोस्पेस वातावरण में विश्वसनीय सेंसिंग सक्षम होती है।