In-situ Silicon Doped hBN by High-Temperature Molecular Beam Epitaxy Enables Single Photon Emission
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि उच्च-तापमान आणविक पुंज एपिटैक्सी (molecular beam epitaxy) के माध्यम से हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड (hBN) के इन-सीटू सिलिकॉन डोपिंग द्वारा एक विस्तृत स्पेक्ट्रल रेंज में कमरे के तापमान वाले सिंगल फोटॉन उत्सर्जकों का निर्माण संभव है, जो क्वांटम फोटोनिक डिवाइस एकीकरण के लिए एक व्यवहार्य मार्ग प्रदान करता है।