A Comparative Study on the Efficiency of an SnO2/n-Si Photodetector Using a Planar Un-scratched and a CNC Mechanically Scratched Wafer
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि एक माइक्रो-ग्रूव्ड SnO2/n-Si हेटरोजंक्शन बनाने के लिए CNC मशीन का उपयोग करके n-Si वेफर को यांत्रिक रूप से खरोंचना, बेहतर लाइट ट्रैपिंग और कम ट्रैप-असिस्टेड पुनर्संयोजन (recombination) के माध्यम से फोटोकरेंट, रिस्पॉन्सिविटी और रिस्पॉन्स स्पीड को बढ़ाकर फोटोडिटेक्टर दक्षता को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता है, हालांकि बढ़े हुए डार्क करंट के कारण विशिष्ट डिटेक्टिविटी (specific detectivity) में एक समझौता (trade-off) होता है।