Room-Temperature Trion–Exciton Separation in Monolayer MoS₂ via Substrate-Induced n-Doping on ITO
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि मोनोलेयर MoS₂ को एक लचीले ITO/PET सबस्ट्रेट पर स्थानांतरित करने से प्रबल n-डोपिंग और इलेक्ट्रॉनिक कपलिंग प्रेरित होती है, जो बाहरी गेटिंग या क्रायोजेनिक स्थितियों के बिना ट्रायन्स और एक्सिटोन का कमरे के तापमान पर स्पेक्ट्रल पृथक्करण सक्षम करती है।