Hybridization–Ionicity Mapping for Descriptor-Guided Design of Amorphous Ge–Sb–Se Selector-Only Memory
यह अध्ययन यह स्थापित करता है कि हाइब्रिडाइजेशन (संकरण) और आयोनिसिटी (आयनिकता) विवरणों का मानचित्रण एक इष्टतम संरचना सीमा की पहचान करके अमोर्फस (अनाकार) Ge–Sb–Se सिलेक्टर-ओनली मेमोरीज के तर्कसंगत डिजाइन को प्रभावी ढंग से निर्देशित कर सकता है, जहाँ बढ़ी हुई आयोनिसिटी ट्रैप-ऊर्जा पृथक्करण और मेमोरी प्रदर्शन को बढ़ाती है, जबकि अत्यधिक होमोपोलर बॉन्डिंग इसे खराब करती है।