Synthesis, Characterization, and GGA+U Electronic Structure Calculations of Hexagonal Covellite (CuS) Nanoparticles for Optoelectronic and Photothermal Applications
यह अध्ययन 2.36 eV बैंड गैप वाले हेक्सागोनल CuS नैनोकणों के सफल संश्लेषण और लक्षण वर्णन की रिपोर्ट करता है, जो GGA+U गणनाओं द्वारा समर्थित है जो सामग्री की प्रत्यक्ष बैंड गैप प्रकृति और मजबूत निकट-अवरक्त अवशोषण को प्रमाणित करता है, जो इसके फोटोथर्मल और p-प्रकार के ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए इसकी क्षमता को उजागर करता है।