Direct Measurement of the Singlet Lifetime and Photoexcitation Behavior of the Boron Vacancy Center in Hexagonal Boron Nitride
यह शोध पत्र टाइम-रिज़ॉलव्ड फोटोल्यूमिनेसेंस का उपयोग करके हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड में बोरॉन वेकेंसी सेंटर के लिए 15(3) ns सिंगलेट स्टेट लाइफटाइम के प्रत्यक्ष मापन और इलेक्ट्रॉनिक ट्रांज़िशन दरों के निष्कर्षण की रिपोर्ट करता है, जबकि साथ ही बड़े फ्लेक्स में ऑप्टिकली इंड्यूस्ड चार्ज स्टेट कन्वर्जन के साक्ष्य भी प्रस्तुत करता है।