Device-area selection of memristive transport regimes in epitaxial -based ferroelectric devices
यह अध्ययन दर्शाता है कि एपिटैक्सियल HfZrO-आधारित फेरोइलेक्ट्रिक मेमरिस्टिव उपकरण क्षेत्र-निर्भर टनलिंग और स्थानीयकृत-चालन (localized-conduction) शासन के सह-अस्तित्व को प्रदर्शित करते हैं, जिसमें लगभग पर एक सांख्यिकीय क्रॉसओवर होता है जो फेरोइलेक्ट्रिक वेक-अप और ऑक्सीजन-वैकेंसी पुनर्वितरण की शुरुआत के साथ सहसंबंध रखता है।