Hot carrier diffusion-assisted ideal carrier multiplication in monolayer MoSe2
Questo studio dimostra che il monostrato di MoSe2 raggiunge la massima efficienza teorica di moltiplicazione dei portatori attraverso la soppressione dello scattering portatore-reticolo e abbondanti percorsi di nesting della banda 2Eg, superando il suo controparte bulk e posizionandolo come un candidato promettente per le applicazioni optoelettroniche di prossima generazione.